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| Logo | 品牌 | 原产地 | 产品类别 | 更多 |
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DELACHAUX登莱秀 | 法国 | 集电器、电缆卷筒 | DELACHAUX供应商 |
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Vahle法勒 | 德国 | 集电器 | Vahle供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 4701 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 3000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 3000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 | ZXTN04120HFFTA | 实时确认>> |
| 4702 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23F · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23F · Herst | ZXTN19060CFFTA | 实时确认>> |
| 4703 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.25 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.25 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers | ZUMT618TA | 实时确认>> |
| 4704 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel | ZXTN19055DZTA | 实时确认>> |
| 4705 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-6 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-6 · Herste | ZXT10P40DE6TA | 实时确认>> |
| 4706 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23F · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23F · Herstel | ZXTN19020CFFTA | 实时确认>> |
| 4707 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers | MMSTA06-7-F | 实时确认>> |
| 4708 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.25 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.25 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Her | ZXTN19100CZTA | 实时确认>> |
| 4709 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 9 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 9 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel | ZXTN19020DGTA | 实时确认>> |
| 4710 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herste | ZXT11N15DFTA | 实时确认>> |
| 4711 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | MPSA29 | 实时确认>> |
| 4712 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T | PUMH13,115 | 实时确认>> |
| 4713 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.9 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.9 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Herstell | PBSS4041SP,115 | 实时确认>> |
| 4714 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -900 mA,+1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150,200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA,+500 mA · Gehäuseart 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -900 mA,+1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150,200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA,+500 mA · Gehäuseart | PBSS4160DPN,115 | 实时确认>> |
| 4715 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Hersteller: 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Hersteller: | PBSS4041SN,115 | 实时确认>> |
| 4716 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN2020D-6 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN2020D-6 · Hers | PBSS4160PAN,115 | 实时确认>> |
| 4717 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -4.8 A,+5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150,250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V,+2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A,+2 A · Gehäuseart (Hal 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -4.8 A,+5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150,250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V,+2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A,+2 A · Gehäuseart (Hal | PBSS4032SPN,115 | 实时确认>> |
| 4718 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herste | PBSS4260PANP,115 | 实时确认>> |
| 4719 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herstel | PBSS4130PAN,115 | 实时确认>> |
| 4720 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herste | PBSS4230PANP,115 | 实时确认>> |
| 4721 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Hersteller | PBSS4230PAN,115 | 实时确认>> |
| 4722 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN2020D-6 · 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN2020D-6 · | PBSS4160PANP,115 | 实时确认>> |
| 4723 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Herstell | PBSS4112PAN,115 | 实时确认>> |
| 4724 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Her | PBSS4130PANP,115 | 实时确认>> |
| 4725 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Hersteller | PBSS4260PAN,115 | 实时确认>> |
| 4726 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-6 · Hers | PBSS4112PANP,115 | 实时确认>> |
| 4727 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Herstell | PBSS4032SP,115 | 实时确认>> |
| 4728 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 730 ns · Collector-Strom I(C): 46 A · Eingangskapazität: 2600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO247-3-PG · Herstelle 晶体管 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 730 ns · Collector-Strom I(C): 46 A · Eingangskapazität: 2600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO247-3-PG · Herstelle | SGW25N120 | 实时确认>> |
| 4729 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü | IRGB14C40L | 实时确认>> |
| 4730 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 430 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GA · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 180 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 430 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GA · He | FPDB30PH60 | 实时确认>> |
| 4731 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.88 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.88 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · | FSAM20SM60A | 实时确认>> |
| 4732 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 11 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-262 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 11 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-262 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I | IRG4BH20K-LPBF | 实时确认>> |
| 4733 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 142 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 5412 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 40 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 142 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 5412 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 40 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · | STGW40H65FB | 实时确认>> |
| 4734 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 95 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 95 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller | RJH60F5BDPQ-A0#T0 | 实时确认>> |
| 4735 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 70 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 70 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme | IXYH40N120C3 | 实时确认>> |
| 4736 | IGBT, Collector Emitter Saturation Volta RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRGB4061DPBF. 晶体管 | IGBT, Collector Emitter Saturation Volta RoHS konform: Ja Hersteller: INFINEON Typ: IRGB4061DPBF. | IRGB4061DPBF. | 实时确认>> |
| 4737 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · | FNB41560B2 | 实时确认>> |
| 4738 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H | FNA41060 | 实时确认>> |
| 4739 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · | FNA41560 | 实时确认>> |
| 4740 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 10 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · | FNA41060B2 | 实时确认>> |
| 4741 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herstel 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Herstel | FSB50550AS | 实时确认>> |
| 4742 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.70 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.65 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.70 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.65 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · H | FNB40560 | 实时确认>> |
| 4743 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 800 ns · Collector-Strom I(C): 1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1273 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · Her 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 800 ns · Collector-Strom I(C): 1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1273 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · Her | FSB50250 | 实时确认>> |
| 4744 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1250 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H | FSB50450US | 实时确认>> |
| 4745 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.7 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.7 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AAC · | FNC42060F2 | 实时确认>> |
| 4746 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I | IXGH48N60C3D1 | 实时确认>> |
| 4747 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 0.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · 电机控制器 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.65 µs · Collector-Strom I(C): 0.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-26-AA · | FNB41560 | 实时确认>> |
| 4748 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 430 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 550 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-HA · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 430 ns · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 550 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-HA · He | FPDB50PH60 | 实时确认>> |
| 4749 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-ED · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-ED · H | FSB50250UTD | 实时确认>> |
| 4750 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.85 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.39 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.85 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.39 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · | FSAM30SH60A | 实时确认>> |
| 4751 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstell 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 60 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstell | IRGP4063-EPBF | 实时确认>> |
| 4752 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH1CV6DPK-00#T0 | 实时确认>> |
| 4753 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 149 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PF · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 149 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PF · | STGFW20V60F | 实时确认>> |
| 4754 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · | STGP30V60F | 实时确认>> |
| 4755 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · | FSBB20CH60C | 实时确认>> |
| 4756 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 272 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 272 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: | RJH60D1DPE-00#J3 | 实时确认>> |
| 4757 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 149 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 149 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 2800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · | STGP20V60F | 实时确认>> |
| 4758 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 4.8 µs · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · Ko 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 4.8 µs · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · Ko | ISL9V3040D3ST | 实时确认>> |
| 4759 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 365 ns · Collector-Strom I(C): 125 A · Eingangskapazität: 4340 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 365 ns · Collector-Strom I(C): 125 A · Eingangskapazität: 4340 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 23 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller | IXGX55N120A3H1 | 实时确认>> |
| 4760 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 140 A · Eingangskapazität: 4440 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstel 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 140 A · Eingangskapazität: 4440 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Herstel | IRGP4066D-EPBF | 实时确认>> |
| 4761 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 130 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 130 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller | RJH60D5BDPQ-E0#T2 | 实时确认>> |
| 4762 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1152 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 1.5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1152 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-AA · H | FSB50450 | 实时确认>> |
| 4763 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 10.8 µs · Collector-Strom I(C): 51 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 10.8 µs · Collector-Strom I(C): 51 A · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.7 µs · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC · | ISL9V5045S3ST | 实时确认>> |
| 4764 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.9 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.68 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.9 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.68 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · H | FSBB30CH60F | 实时确认>> |
| 4765 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 64 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 125 ns · Collector-Strom I(C): 64 A · Eingangskapazität: 1870 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme | IXYH40N120C3D1 | 实时确认>> |
| 4766 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 430 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 32 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 430 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 32 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60D2DPP-M0#T2 | 实时确认>> |
| 4767 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 4550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): MAX247 · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kü 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 4550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): MAX247 · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kü | STGY40NC60VD | 实时确认>> |
| 4768 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.4 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · H 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.4 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · H | FSBB30CH60C | 实时确认>> |
| 4769 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 500 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GC · He 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 500 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-GC · He | FPDB40PH60B | 实时确认>> |
| 4770 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem | IXYP20N120C3 | 实时确认>> |
| 4771 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CB · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CB · | FSBB20CH60CL | 实时确认>> |
| 4772 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH60F4DPK-00#T0 | 实时确认>> |
| 4773 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 229 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3338 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 229 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3338 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell | IRG7PH42UDPBF | 实时确认>> |
| 4774 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 198 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 7780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 69 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-274AA · Herstel 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 198 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 7780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 69 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-274AA · Herstel | AUIRGPS4067D1 | 实时确认>> |
| 4775 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller | RJH60F3DPQ-A0#T0 | 实时确认>> |
| 4776 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 32 A · Eingangskapazität: 2280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 100 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUS i4-PAC · Hers 晶体管 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 600 ns · Collector-Strom I(C): 32 A · Eingangskapazität: 2280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 100 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUS i4-PAC · Hers | IXLF19N250A | 实时确认>> |
| 4777 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 1500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 36 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 1500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 36 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: | IXGH16N170A | 实时确认>> |
| 4778 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 55 A · Eingangskapazität: 1940 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 55 A · Eingangskapazität: 1940 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell | IRG7PH35UPBF | 实时确认>> |
| 4779 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1260 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 44 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH60F3DPK-00#T0 | 实时确认>> |
| 4780 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 540 ns · Collector-Strom I(C): 19 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 27 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 540 ns · Collector-Strom I(C): 19 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 27 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF | IRG4BC20SPBF | 实时确认>> |
| 4781 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 2150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 2150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: | IXGH32N120A3 | 实时确认>> |
| 4782 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH60F0DPK-00#T0 | 实时确认>> |
| 4783 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISO247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISO247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen | IXYJ20N120C3D1 | 实时确认>> |
| 4784 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: | RJH60A83RDPE-00#J3 | 实时确认>> |
| 4785 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 6040 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 160 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUSi5-Pak · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel ( 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 630 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 6040 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 160 ns · Gehäuseart (Halbleiter): ISOPLUSi5-Pak · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel ( | IXEL40N400 | 实时确认>> |
| 4786 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemen | IXYH20N120C3 | 实时确认>> |
| 4787 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 31 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 31 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell | IRG4BC30F | 实时确认>> |
| 4788 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | KB 817 | 实时确认>> |
| 4789 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817B | 实时确认>> |
| 4790 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann | MOCD207M | 实时确认>> |
| 4791 | Ausführung (LEDs): Klar,Nicht gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 20 mA · Empfindlichkeit (max.): 940 nm · Gehäuseart (LEDs): 5 mm · Hersteller: Everlight Opto · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (Kategorisieru 晶体管 | Ausführung (LEDs): Klar,Nicht gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 20 mA · Empfindlichkeit (max.): 940 nm · Gehäuseart (LEDs): 5 mm · Hersteller: Everlight Opto · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (Kategorisieru | PT331C=PT333-3C | 实时确认>> |
| 4792 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FODM2705 | 实时确认>> |
| 4793 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD814SD | 实时确认>> |
| 4794 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | HMHA2801A | 实时确认>> |
| 4795 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu | MCT62SD | 实时确认>> |
| 4796 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | SFH615A-3 | 实时确认>> |
| 4797 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N35SM | 实时确认>> |
| 4798 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | CNY 17 F-4 | 实时确认>> |
| 4799 | Abfallzeit: 15 µs · Anstiegszeit: 4.6 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom 晶体管 | Abfallzeit: 15 µs · Anstiegszeit: 4.6 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom | SFH615A-4X | 实时确认>> |
| 4800 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-816 | 实时确认>> |
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