Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü IRGB14C40L 晶体管-产品快照
- 品牌:
- Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü
- 型号:
- IRGB14C40L
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产品介绍
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü IRGB14C40L 晶体管
IGBT Infineon Technologies IRGB14C40L TO-220AB Einzeln Logik 430 V
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü
Artikel-Nr.: 102-163039-BP Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IRGB14C40L EAN/GTIN: k.A. IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor Technische Daten: Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 6 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 825 pF · Eingangstyp: Logik · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 900 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · In PCB-Software verfügbar: Target 3001! · Kollektor Reststrom I(CES): 15 µA · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 430 V · Konfiguration (Transistoren): Einzeln · Leistung max. P(tot): 125 W · Montageart (LOV): Durchführungsloch · Q(G): 27 nC · Transistor-Typ (Kategorisierung): IGBT · Typ (Hersteller-Typ): IRGB14C40L · VCE Sättigung (max.): 1.75 V
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