Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I IXGH48N60C3D1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I
- 型号:
- IXGH48N60C3D1
* 所有产品信息均源于第三方公开数据或用户上传，工业链仅整合供参考，真实价格货期请联系供应商确认.
| 供应商名称 | 电话 | 备注 |
|---|---|---|
| 暂无展示，可咨询在线客服 | 400-811-6961 |
 微信咨询，as10@gchane.com , QQ3350168184
|
产品介绍
Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I IXGH48N60C3D1 晶体管
IGBT IXYS IXGH48N60C3D1 TO-247AD Einzeln Standard 600 V
Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I
Artikel-Nr.: 102-160633-BP Hersteller: IXYS Herst.-Nr.: IXGH48N60C3D1 EAN/GTIN: k.A. IGBT mit Diode Technische Daten: Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 1960 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 19 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): IXY · I(CM): 250 A · Kollektor Reststrom I(CES): 300 µA · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 600 V · Konfiguration (Transistoren): Einzeln · Leistung max. P(tot): 300 W · Montageart (LOV): Durchführungsloch · Q(G): 77 nC · Serie (Halbleiter): GenX3 · Transistor-Typ (Kategorisierung): IGBT · Typ (Hersteller-Typ): IXGH48N60C3D1 · VCE Sättigung (max.): 2.5 V
Startseite Elektronik, Elektrotechnik Aktive Bauelemente Gleichrichter Transistoren Dioden Diode Germaniumdiode
更多产品:
更多品牌:
