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| Logo | 品牌 | 原产地 | 产品类别 | 更多 |
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Stark | 美国 | 夹具、夹紧系统、固定装置 | Stark供应商 |
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STARK SPANNSYSTEME | 奥地利 | 夹具、刀具、夹紧系统、固定装置 | STARK SPANNSYSTEME供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 201 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -220V Drainstrom : -750mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -220V Drainstrom : -750mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2522N8-G | 实时确认>> |
| 202 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -220V Drainstrom : -700mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -220V Drainstrom : -700mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP5322K1-G | 实时确认>> |
| 203 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -400mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 30Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -400mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 30Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP5335K1-G | 实时确认>> |
| 204 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -20V Drainstrom : -2A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 2Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -20V Drainstrom : -2A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 2Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2502N8-G | 实时确认>> |
| 205 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -220V Drainstrom : -700mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -220V Drainstrom : -700mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP5322N8-G | 实时确认>> |
| 206 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -240V Drainstrom : -800mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -240V Drainstrom : -800mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2424N8-G | 实时确认>> |
| 207 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -200V Drainstrom : -750mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -200V Drainstrom : -750mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2520N8-G | 实时确认>> |
| 208 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -100V Drainstrom : -500mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -100V Drainstrom : -500mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP2110K1-G | 实时确认>> |
| 209 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -400V Drainstrom : -400mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 25Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -400V Drainstrom : -400mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 25Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2540N8-G | 实时确认>> |
| 210 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -400V Drainstrom : -700mA Leistung : 740mW Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -400V Drainstrom : -700mA Leistung : 740mW Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2640LG-G | 实时确认>> |
| 211 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP0106N3-G | 实时确认>> |
| 212 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -500V Drainstrom : -200mA Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 30Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -500V Drainstrom : -200mA Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 30Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX | VP2450N3-G | 实时确认>> |
| 213 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -400mA Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 25Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -400mA Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 25Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX | TP2535N3-G | 实时确认>> |
| 214 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -700mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -700mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2635N3-G | 实时确认>> |
| 215 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -500V Drainstrom : -100mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -4.5V Widerstand im Leitungszustand : 125Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -500V Drainstrom : -100mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -4.5V Widerstand im Leitungszustand : 125Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP0550N3-G | 实时确认>> |
| 216 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -40V Drainstrom : -2A Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 2Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -40V Drainstrom : -2A Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 2Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP0604N3-G | 实时确认>> |
| 217 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -4A Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 900mΩ Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -4A Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 900mΩ Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP2206N3-G | 实时确认>> |
| 218 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -90V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -90V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP0109N3-G | 实时确认>> |
| 219 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -40V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -40V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP0104N3-G | 实时确认>> |
| 220 | Drehschalter Polzahl 2, 16 A 250 VAC, weiss | Schneider Electric | AQUA-STARK VRIDSTRÖMST 16A | 实时确认>> |
| 221 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 350V Drainstrom : 1A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 6Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 350V Drainstrom : 1A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 6Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2435N8-G | 实时确认>> |
| 222 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 250V Drainstrom : 1.2A Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 250V Drainstrom : 1.2A Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN5325K1-G | 实时确认>> |
| 223 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 350V Drainstrom : 750mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 350V Drainstrom : 750mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN5335K1-G | 实时确认>> |
| 224 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 2A Leistung : 1.3W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 2A Leistung : 1.3W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2640LG-G | 实时确认>> |
| 225 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 250V Drainstrom : 1.5A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 250V Drainstrom : 1.5A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2425N8-G | 实时确认>> |
| 226 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 4A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 4A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2504N8-G | 实时确认>> |
| 227 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -100V Drainstrom : -1.5A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 3.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -100V Drainstrom : -1.5A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 3.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2510N8-G | 实时确认>> |
| 228 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 1.5A Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3Ω Montage : THT Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 1.5A Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3Ω Montage : THT Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | 2N6660 | 实时确认>> |
| 229 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -16.5V Drainstrom : -1.25A Leistung : 1.5W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : -1V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -16.5V Drainstrom : -1.25A Leistung : 1.5W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : -1V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | LP0701LG-G | 实时确认>> |
| 230 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2106N3-G | 实时确认>> |
| 231 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 3A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 3A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN0606N3-G | 实时确认>> |
| 232 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -50mA Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 10Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -50mA Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 10Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP0610T-G | 实时确认>> |
| 233 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -800mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -350V Drainstrom : -800mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2435N8-G | 实时确认>> |
| 234 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -30V Drainstrom : -4A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 600mΩ Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -30V Drainstrom : -4A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 600mΩ Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP3203N8-G | 实时确认>> |
| 235 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2106N3-G | 实时确认>> |
| 236 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 500V Drainstrom : 500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 13Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 500V Drainstrom : 500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 13Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2450N3-G | 实时确认>> |
| 237 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 240V Drainstrom : 1A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 10Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 240V Drainstrom : 1A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 10Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2410L-G | 实时确认>> |
| 238 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 80V Drainstrom : 1.5A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±30V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 80V Drainstrom : 1.5A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±30V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN0808L-G | 实时确认>> |
| 239 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 1A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 1A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2540N3-G | 实时确认>> |
| 240 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 2A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 2A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.8Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN0104N3-G | 实时确认>> |
| 241 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -200V Drainstrom : -750mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -200V Drainstrom : -750mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2.4V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP0620N3-G | 实时确认>> |
| 242 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 2A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 2A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN0106N3-G | 实时确认>> |
| 243 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -16.5V Drainstrom : -1.25A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -1V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -16.5V Drainstrom : -1.25A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -1V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | LP0701N3-G | 实时确认>> |
| 244 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 500mA Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±30V Widerstand im Leitungszustand : 7.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 500mA Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±30V Widerstand im Leitungszustand : 7.5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | 2N7008-G | 实时确认>> |
| 245 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 2A Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 2A Leistung : 740mW Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2640N3-G | 实时确认>> |
| 246 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 2A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 2A Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 3Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN0106N3-G | 实时确认>> |
| 247 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.3Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.3Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN0702N3-G | 实时确认>> |
| 248 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 500V Drainstrom : 150mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 60Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 500V Drainstrom : 150mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 60Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN0550N3-G | 实时确认>> |
| 249 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2106K1-G | 实时确认>> |
| 250 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -500V Drainstrom : -200mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 30Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -500V Drainstrom : -200mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 30Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP2450N8-G | 实时确认>> |
| 251 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 300V Drainstrom : 250mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 25Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 300V Drainstrom : 250mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 25Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2130K1-G | 实时确认>> |
| 252 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 350V Drainstrom : 750mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 350V Drainstrom : 750mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN5335N8-G | 实时确认>> |
| 253 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 1A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 400V Drainstrom : 1A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2540N8-G | 实时确认>> |
| 254 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 50V Drainstrom : 14A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 300mΩ Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 50V Drainstrom : 14A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 300mΩ Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN3205N8-G | 实时确认>> |
| 255 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 250V Drainstrom : 1.2A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 250V Drainstrom : 1.2A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN5325N8-G | 实时确认>> |
| 256 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 500V Drainstrom : 500mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 13Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 500V Drainstrom : 500mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 13Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2450N8-G | 实时确认>> |
| 257 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 250mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 20Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 250mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 20Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2460N8-G | 实时确认>> |
| 258 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -400V Drainstrom : -700mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -400V Drainstrom : -700mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -2V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TP2640N3-G | 实时确认>> |
| 259 | 12x Sanremo Edelstahl Spray Korrosionsschutz 400ml Spraydose | Sanremo Edelstahl Spray Korrosionsschutz Produktdetails Hohe Chemikalienbeständigkeit Stark witterungsbeständig Abriebfest Schützt vor erneuter Korrosion Dekorativer Einsatz auf Grund der Farbgebung Optische Aufwertung Hoch hitzebeständig Produktbeschreib | 实时确认>> | |
| 260 | Saeco HD8914/01 Incanto Kaffeevollautomat Silber | Philips | Die Entkalkungsbenachrichtigung wird automatisch deaktiviert, sobald AquaClean in Ihre Saeco Kaffeemaschine eingesetzt wurde. Die Auswahl der Kaffeestärke merkt sich genau, wie stark Sie es mögen Wählen Sie die ideale Stärke aus 5 verschiedenen Einstellun | 实时确认>> |
| 261 | Kleen Purgatis Top Off Fettlöser neutral 10 Liter | Kleen Purgatis | Zur fettlösenden Reinigung aller abwaschbaren Flächen und Gegenstände. In lebensmittelverarbeitenden Betrieben, wie Großküchen, Kantinen, Metzgereien und Molkereien etc, besonders zur Reinigung stark fettverschmutzter Fußböden, Arbeitsflächen. Gebrauchsan | 实时确认>> |
| 262 | Rollenkette Simplex 12B1, (3/4"x7/16") Hochleistungskette für stark beanspruchte | ihh | 984029 | 实时确认>> |
| 263 | Rollenkette Simplex 20B1, (1 1/4"x3/4") Hochleistungskette für stark beansprucht | ihh | 984175 | 实时确认>> |
| 264 | Rollenkette Simplex 06B1, (3/8"x7/32") Hochleistungskette für stark beanspruchte | ihh | 984003 | 实时确认>> |
| 265 | Rollenkette Simplex 10B1, (5/8"x3/8") Hochleistungskette für stark beanspruchte | ihh | 984021 | 实时确认>> |
| 266 | Scharnier stark 75x75x1,75 mm Edelstahl | August Vormann | k.A. | 实时确认>> |
| 267 | Scharnier stark 63x63x1,5 mm Edelstahl | August Vormann | k.A. | 实时确认>> |
| 268 | Polycordel Stark Länge 900-1000m | k.A. | 206010 | 实时确认>> |
| 269 | Moosgummi 1mm stark, 210 x 295 mm selbstklebend (1 St. DIN A4 Bogen) | MSG | k.A. | 实时确认>> |
| 270 | Rollenkette Simplex 08B1, (1/2"x5/16") Hochleistungskette für stark beanspruchte | ihh | 984014 | 实时确认>> |
| 271 | Deckenhaken, stark gewunden, mit metrischem Gewinde, M10 mm | Hermann Lohmann | 018.02.14010.1010 | 实时确认>> |
| 272 | Deckenhaken, stark gewunden, mit Holzgewinde, 8,35 mm | Hermann Lohmann | 018.01.10083.1012 | 实时确认>> |
| 273 | Abschottungsprofil Kunstst. (Stark-/Schwachstrom) f. BK07.. | Schrack Technik | BK077000-- | 实时确认>> |
| 274 | Sockelblende Mit stark haftenden Klebebändern Breite 1200 mm Lichtgrau …|CL0009 | k.A. | CL0009 | 实时确认>> |
| 275 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 90V Drainstrom : 1.5A Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : THT Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 90V Drainstrom : 1.5A Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : THT Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | 2N6661 | 实时确认>> |
| 276 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -4A Leistung : 360mW Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 900mΩ Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -4A Leistung : 360mW Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 900mΩ Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP2206N2 | 实时确认>> |
| 277 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 4Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2110K1-G | 实时确认>> |
| 278 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 240V Drainstrom : 140mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 240V Drainstrom : 140mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 15Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2124K1-G | 实时确认>> |
| 279 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 240V Drainstrom : 1A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 6Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 240V Drainstrom : 1A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 6Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2524N8-G | 实时确认>> |
| 280 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 18V Drainstrom : 250mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 18V Drainstrom : 250mA Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2501N8-G | 实时确认>> |
| 281 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8A Leistung : 360mW Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 350mΩ Montage : THT Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8A Leistung : 360mW Gehäuse : TO39 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 350mΩ Montage : THT Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN2210N2 | 实时确认>> |
| 282 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 3A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 3A Leistung : 1.6W Gehäuse : SOT89-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 1.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | TN2510N8-G | 实时确认>> |
| 283 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 750mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±30V Widerstand im Leitungszustand : 5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 750mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : ±30V Widerstand im Leitungszustand : 5Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VN10KN3-G | 实时确认>> |
| 284 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) 晶体管 | P-MOSFET Drain-Source Spannung : -60V Drainstrom : -500mA Leistung : 1W Gehäuse : TO92 Gate-Source Spannung : -3.5V Widerstand im Leitungszustand : 12Ω Montage : THT Verpackungs-Art : unverpackt Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) | VP2106N3-G | 实时确认>> |
| 285 | Kantenschutzwinkel 1050 x 60 x 60 mm, 4 mm stark | Nordpack | 00016161 | 实时确认>> |
| 286 | Deckenhaken, stark gewunden, mit metrischem Gewinde, M8 mm | Keller & Kalmbach | k.A. | 实时确认>> |
| 287 | EATON Montageplatte 1800mm stark XVTL-IC/S-8/18 | Eaton | 114783 | 实时确认>> |
| 288 | Sockelblende Mit stark haftenden Klebebändern Breite 615 mm Lichtgrau …|CL0006 | k.A. | CL0006 | 实时确认>> |
| 289 | Sockelblende Mit stark haftenden Klebebändern Breite 810 mm Lichtgrau …|CL0007 | k.A. | CL0007 | 实时确认>> |
| 290 | Sockelblende Mit stark haftenden Klebebändern Breite 907 mm Lichtgrau …|CL0008 | k.A. | CL0008 | 实时确认>> |
| 291 | HENSEL ENYSTAR-Montageplatte Isolierstoff 4mm stark FPMP30 | Hensel | FPMP30 | 实时确认>> |
| 292 | EATON Montageplatte 2000mm stark XVTL-IC/S-6/20 | Eaton | 114781 | 实时确认>> |
| 293 | EATON Montageplatte 2000mm stark XVTL-IC/S-4/20 | Eaton | 114777 | 实时确认>> |
| 294 | EATON Montageplatte 1600mm stark XVTL-IC/S-8/16 | Eaton | 114782 | 实时确认>> |
| 295 | EATON Montageplatte 1800mm stark XVTL-IC/S-6/18 | Eaton | 114780 | 实时确认>> |
| 296 | EATON Montageplatte 1600mm stark XVTL-IC/S-6/16 | Eaton | 114779 | 实时确认>> |
| 297 | EATON Montageplatte 2000mm stark XVTL-IC/S-8/20 | Eaton | 114784 | 实时确认>> |
| 298 | HENSEL Montageplatte aus Isolierst. 4mm stark für KG 9002 KGMP02 | Hensel | KGMP02 | 实时确认>> |
| 299 | Hensel Mi MP4 Montageplatte Isolierstoff 4mm stark f.Mi-Leergehäuse Mi 04.. | Hensel | 4012591650195 | 实时确认>> |
| 300 | Deckenhaken, stark gewunden, mit metrischem Gewinde, M10 mm | Hermann Lohmann | 018.02.12010.1010 | 实时确认>> |
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