N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) TN2106K1-G 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX)
- 型号:
- TN2106K1-G
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产品介绍
N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX) TN2106K1-G 晶体管
Transistor: N-MOSFET; 60V; 600mA; 360mW; SOT23-3
N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX)
Artikel-Nr.: 2805-TN2106K1-G Hersteller: MICROCHIP (SUPERTEX) Herst.-Nr.: TN2106K1-G EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Drain-Source Spannung : 60V Drainstrom : 600mA Leistung : 360mW Gehäuse : SOT23-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 2.5Ω Montage : SMD Kanalausführung : stark Hersteller : MICROCHIP (SUPERTEX)
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