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记录 名称, 品牌, 型号 实时确认
4401 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 80 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 80 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: RJH60D3DPE-00#J3 实时确认>>
4402 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-923F · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-923F · Hers MMBT3904SL 实时确认>>
4403 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70-6 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70-6 · Her FFB2222A 实时确认>>
4404 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · BC80840MTF 实时确认>>
4405 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70-6 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70-6 · Herste BC847S 实时确认>>
4406 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523F · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523F · Hers MMBT3904T 实时确认>>
4407 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 400 mV · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 400 mV · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He MMBT3646 实时确认>>
4408 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70-6 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70-6 · Herst FFB3904 实时确认>>
4409 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her MMBT6428 实时确认>>
4410 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -3 A · Gehäuseart (Halbleiter): D-PAK · Hersteller 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -3 A · Gehäuseart (Halbleiter): D-PAK · Hersteller KSH42CTF 实时确认>>
4411 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He KST5401MTF 实时确认>>
4412 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hers MMBT2484 实时确认>>
4413 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SSOT-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SSOT-3 · Herst FSB660A 实时确认>>
4414 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523F · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523F · H MMBT3906T 实时确认>>
4415 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst BCV71 实时确认>>
4416 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He BC856BMTF 实时确认>>
4417 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 2N5088BU 实时确认>>
4418 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst FMMT625TA 实时确认>>
4419 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 100 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 100 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem IXYH50N120C3 实时确认>>
4420 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 750 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO- BDW94CFTU 实时确认>>
4421 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DRA2123Y0L 实时确认>>
4422 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · PN2907BU 实时确认>>
4423 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hers D45C8 实时确认>>
4424 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): FSC HGTG40N60A4 实时确认>>
4425 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 230 ns · Collector-Strom I(C): 20.3 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB FULLPAK · Hersteller: Infineon Technologies 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 230 ns · Collector-Strom I(C): 20.3 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB FULLPAK · Hersteller: Infineon Technologies IRG4IBC30FD 实时确认>>
4426 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 190 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 24 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle IRG4BC20F 实时确认>>
4427 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: BU2525AW 实时确认>>
4428 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 14 A · Eingangskapazität: 410 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 14 A · Eingangskapazität: 410 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 17 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle IRG4BC15UD 实时确认>>
4429 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 240 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 240 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 43 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Herstelle IRG4BC20FD 实时确认>>
4430 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 86 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 86 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller IRG4BC20U 实时确认>>
4431 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 210 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 2200 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 210 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 2200 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IRGP30B120KD-E 实时确认>>
4432 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 12 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: BU2525DW 实时确认>>
4433 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst BCP53,115 实时确认>>
4434 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel BC846,215 实时确认>>
4435 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her BC860CW,115 实时确认>>
4436 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel BCW32,215 实时确认>>
4437 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell BCP54-10,135 实时确认>>
4438 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her BC558BTA 实时确认>>
4439 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleite 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 10000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleite BCV48,115 实时确认>>
4440 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers BC869,115 实时确认>>
4441 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hers BCP69-16,115 实时确认>>
4442 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Her 2PB709ART,215 实时确认>>
4443 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel BCW33,215 实时确认>>
4444 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste BC847W,115 实时确认>>
4445 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers BC860B,215 实时确认>>
4446 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel BCP68-25,115 实时确认>>
4447 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel BC849B,215 实时确认>>
4448 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H BC807W,115 实时确认>>
4449 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 270 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 270 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Herstel BC548C 实时确认>>
4450 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Herstell 2SA1943OTU 实时确认>>
4451 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -3 A,+3.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300,300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V,+2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA,+10 mA · Gehäuseart (H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -3 A,+3.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300,300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V,+2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA,+10 mA · Gehäuseart (H ZXTC2063E6TA 实时确认>>
4452 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 200 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herste FMMT617TA 实时确认>>
4453 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hers KSB1015YTU 实时确认>>
4454 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hers KSB1017YTU 实时确认>>
4455 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herstell BCX56-16 实时确认>>
4456 Omron 传感器 Omron E6B2CWZ6C200PR2M 实时确认>>
4457 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 3000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - Darlington · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 3000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT FCX705TA 实时确认>>
4458 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 185 ns · Collector-Strom I(C): 70 A · Eingangskapazität: 2075 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 185 ns · Collector-Strom I(C): 70 A · Eingangskapazität: 2075 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH1CV7DPK-00#T0 实时确认>>
4459 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SO BST52,115 实时确认>>
4460 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel BC868,115 实时确认>>
4461 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 25 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 15 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): 25 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 15 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC-70 · Herstell BFT92W,115 实时确认>>
4462 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste BC849CW,115 实时确认>>
4463 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel PBSS5540Z,115 实时确认>>
4464 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste PBSS5250X,115 实时确认>>
4465 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-523 · Herst MMBT3904T-7-F 实时确认>>
4466 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell PBSS5240T,215 实时确认>>
4467 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817D300W 实时确认>>
4468 Abfallzeit: 4 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 4 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U IS2801-4 实时确认>>
4469 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( 晶体管 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( SFH615A-2XSM 实时确认>>
4470 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-846S 实时确认>>
4471 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 4N26 实时确认>>
4472 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N32SR2M 实时确认>>
4473 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N27SM 实时确认>>
4474 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N27SR2M 实时确认>>
4475 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U KB 827-M 实时确认>>
4476 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N29SM 实时确认>>
4477 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U KB 817-M 实时确认>>
4478 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( 晶体管 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( SFH615A-3XSMT/R 实时确认>>
4479 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 3.5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannun 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 3.5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannun SFH618A-3 实时确认>>
4480 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U HCPL-817-30CE 实时确认>>
4481 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U ISP817CX 实时确认>>
4482 Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu MCT6W 实时确认>>
4483 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu FOD2741BSD 实时确认>>
4484 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassstrom I(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassstrom I(F) SFH618A-3X 实时确认>>
4485 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U HCPL-181-00CE 实时确认>>
4486 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U HCPL-354-000E 实时确认>>
4487 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc MOC206R2M 实时确认>>
4488 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.25 V · Durchlassst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.25 V · Durchlassst MCT5211M 实时确认>>
4489 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass H11AV1AVM 实时确认>>
4490 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc MOC207R2VM 实时确认>>
4491 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann MOCD211R2M 实时确认>>
4492 Abfallzeit: 1.5 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchla 晶体管 Abfallzeit: 1.5 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchla MCT2ESM 实时确认>>
4493 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.18 V · Durchlassstrom I(F): 6 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.18 V · Durchlassstrom I(F): 6 MOC8021M 实时确认>>
4494 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N32TVM 实时确认>>
4495 Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu MCT6S 实时确认>>
4496 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlasssp 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlasssp TIL113SM 实时确认>>
4497 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U ISP817BXSMT/R 实时确认>>
4498 Broadcom Optokoppler, 10 mA AC/DC Open-Collector Output, 3750 V eff. SMD, DIP 8-Pin - Herst.-Teile-Nr.: HCPL-4701-000E Broadcom HCPL-4701-000E 实时确认>>
4499 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD814S 实时确认>>
4500 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu FOD2741BTV 实时确认>>

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