Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell BCP54-10,135 晶体管-产品快照
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- Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell
- 型号:
- BCP54-10,135
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产品介绍
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell BCP54-10,135 晶体管
Transistor (BJT) - diskret NXP Semiconductors BCP54-10,135 SOT-223 1 NPN
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell
Artikel-Nr.: 102-1113083-BP Hersteller: NXP Herst.-Nr.: BCP54-10,135 EAN/GTIN: k.A. Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung max. P(tot): 650 mW · Montageart (LOV): Oberflächenmontage · Transistor-Typ (Kategorisierung): Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 180 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BCP54-10,135 · VCE Sättigung (max.): 500 mV
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