Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her BC856BW,115 晶体管-产品快照
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- Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her
- 型号:
- BC856BW,115
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产品介绍
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her BC856BW,115 晶体管
Transistor (BJT) - diskret NXP Semiconductors BC856BW,115 SOT-323 1 PNP
Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her
Artikel-Nr.: 102-1112887-BP Hersteller: NXP Herst.-Nr.: BC856BW,115 EAN/GTIN: k.A. Transistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Kollektor Reststrom I(CES): -15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -65 V · Leistung max. P(tot): 200 mW · Montageart (LOV): Oberflächenmontage · Serie (Halbleiter): Automobiltechnik/AEC-Q101 · Transistor-Typ (Kategorisierung): Transistor (BJT) - diskret · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · Typ (Hersteller-Typ): BC856BW,115 · VCE Sättigung (max.): -600 mV
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