N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 30A Leistung : 34W Gehäuse : PG-TO220 FullPAK Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 125mΩ Montage : THT Technologie : CoolMOS™ P6 Hersteller : INFINEON TECHN IPA60R125P6XKSA1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 30A Leistung : 34W Gehäuse : PG-TO220 FullPAK Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 125mΩ Montage : THT Technologie : CoolMOS™ P6 Hersteller : INFINEON TECHN
- 型号:
- IPA60R125P6XKSA1
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 30A Leistung : 34W Gehäuse : PG-TO220 FullPAK Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 125mΩ Montage : THT Technologie : CoolMOS™ P6 Hersteller : INFINEON TECHN IPA60R125P6XKSA1 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; PG-TO220 FullPAK
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 30A Leistung : 34W Gehäuse : PG-TO220 FullPAK Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 125mΩ Montage : THT Technologie : CoolMOS™ P6 Hersteller : INFINEON TECHN
Artikel-Nr.: 2805-IPA60R125P6XKSA1 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IPA60R125P6XKSA1 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 600V Drainstrom : 30A Leistung : 34W Gehäuse : PG-TO220 FullPAK Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 125mΩ Montage : THT Technologie : CoolMOS™ P6 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
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