Vishay威世 SI7898DP-T1-GE3 晶体管

Vishay威世 SI7898DP-T1-GE3 晶体管-产品快照

品牌:
Vishay
型号:
SI7898DP-T1-GE3

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供应商名称 电话 备注
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产品介绍

Vishay威世 SI7898DP-T1-GE3 晶体管

VISHAY SI7898DP-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 150V, 3A, PPAK SO8

Vishay

Artikel-Nr.: 139-1794797 Hersteller: Vishay Herst.-Nr.: SI7898DP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. Beschreibung: MOSFET, N-KANAL, 150V, 3A, PPAK SO8 RoHS konform: Ja Spannung, Ugs th(V) typ.: 2 V Leistungsverlust Pd: 1.9 W Dauerstrom, Id: 3 A max. Betriebstemperatur: 150 ﾰC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform: SOIC Anzahl der Pins: 8 Pin(s) SVHC: To Be Advised Spannung, Rds-Messung: 10 V Wandlerpolarität: n-Kanal Widerstand RDS (on): 0.068 ohm Spannung, Uds(V) max.: 150 V Product Range: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -

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