N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 650V Drainstrom : 8.3A Leistung : 83.3W Gehäuse : PG-VSON-4 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 460mΩ Montage : SMD Technologie : CoolMOS™ Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R460CFDAUMA1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 650V Drainstrom : 8.3A Leistung : 83.3W Gehäuse : PG-VSON-4 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 460mΩ Montage : SMD Technologie : CoolMOS™ Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
- 型号:
- IPL65R460CFDAUMA1
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 650V Drainstrom : 8.3A Leistung : 83.3W Gehäuse : PG-VSON-4 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 460mΩ Montage : SMD Technologie : CoolMOS™ Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R460CFDAUMA1 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8,3A; 83,3W; PG-VSON-4
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 650V Drainstrom : 8.3A Leistung : 83.3W Gehäuse : PG-VSON-4 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 460mΩ Montage : SMD Technologie : CoolMOS™ Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
Artikel-Nr.: 2805-IPL65R460CFDAUMA1 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IPL65R460CFDAUMA1 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 650V Drainstrom : 8.3A Leistung : 83.3W Gehäuse : PG-VSON-4 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 460mΩ Montage : SMD Technologie : CoolMOS™ Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
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