N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -40/40V Drainstrom : -12/12A Leistung : 14/15W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 30/45mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : AOD609 晶体管-产品快照
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- N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -40/40V Drainstrom : -12/12A Leistung : 14/15W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 30/45mΩ Montage : SMD Gate-Ladung :
- 型号:
- AOD609
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产品介绍
N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -40/40V Drainstrom : -12/12A Leistung : 14/15W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 30/45mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : AOD609 晶体管
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementär; -40/40V; -12/12A
N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -40/40V Drainstrom : -12/12A Leistung : 14/15W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 30/45mΩ Montage : SMD Gate-Ladung :
Artikel-Nr.: 2805-AOD609 Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Herst.-Nr.: AOD609 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -40/40V Drainstrom : -12/12A Leistung : 14/15W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 30/45mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 8.3/16.2nC Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
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