N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -30/30V Drainstrom : -9.4/9.4A Leistung : 12.5/12.5W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 25/37mΩ Montage : SMD Gate-Lad AOD607 晶体管-产品快照
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- N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -30/30V Drainstrom : -9.4/9.4A Leistung : 12.5/12.5W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 25/37mΩ Montage : SMD Gate-Lad
- 型号:
- AOD607
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产品介绍
N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -30/30V Drainstrom : -9.4/9.4A Leistung : 12.5/12.5W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 25/37mΩ Montage : SMD Gate-Lad AOD607 晶体管
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; komplementär; -30/30V; TO252-4
N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -30/30V Drainstrom : -9.4/9.4A Leistung : 12.5/12.5W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 25/37mΩ Montage : SMD Gate-Lad
Artikel-Nr.: 2805-AOD607 Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Herst.-Nr.: AOD607 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N/P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : komplementär Drain-Source Spannung : -30/30V Drainstrom : -9.4/9.4A Leistung : 12.5/12.5W Gehäuse : TO252-4 Gate-Source Spannung : ±20/±20V Widerstand im Leitungszustand : 25/37mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 9.8/9.7nC Hersteller : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
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