N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 100A Leistung : 300W Gehäuse : PG-TO263-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.2mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGI IPB072N15N3GATMA1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 100A Leistung : 300W Gehäuse : PG-TO263-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.2mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGI
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- IPB072N15N3GATMA1
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 100A Leistung : 300W Gehäuse : PG-TO263-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.2mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGI IPB072N15N3GATMA1 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 100A Leistung : 300W Gehäuse : PG-TO263-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.2mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGI
Artikel-Nr.: 2805-IPB072N15N3GATMA1 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IPB072N15N3GATMA1 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 100A Leistung : 300W Gehäuse : PG-TO263-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.2mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
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