N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 27A Leistung : 89W Gehäuse : DirectFET Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRF6611TR1PBF 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 27A Leistung : 89W Gehäuse : DirectFET Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
- 型号:
- IRF6611TR1PBF
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 27A Leistung : 89W Gehäuse : DirectFET Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRF6611TR1PBF 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 89W; DirectFET
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 27A Leistung : 89W Gehäuse : DirectFET Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
Artikel-Nr.: 2805-IRF6611TR1PBF Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: IRF6611TR1PBF EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 27A Leistung : 89W Gehäuse : DirectFET Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
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