N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 4.9A Leistung : 2W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 80mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 25nC Hersteller : Infineon (IRF AUIRF7303QTR 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 4.9A Leistung : 2W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 80mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 25nC Hersteller : Infineon (IRF
- 型号:
- AUIRF7303QTR
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 4.9A Leistung : 2W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 80mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 25nC Hersteller : Infineon (IRF AUIRF7303QTR 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 30V; 4,9A; 2W; SO8
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 4.9A Leistung : 2W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 80mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 25nC Hersteller : Infineon (IRF
Artikel-Nr.: 2805-AUIRF7303QTR Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: AUIRF7303QTR EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 30V Drainstrom : 4.9A Leistung : 2W Gehäuse : SO8 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 80mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 25nC Hersteller : Infineon (IRF)
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