N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 43A Leistung : 39W Gehäuse : PG-TO220-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.5mΩ Montage : THT Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3GXKSA1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 43A Leistung : 39W Gehäuse : PG-TO220-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.5mΩ Montage : THT Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
- 型号:
- IPA075N15N3GXKSA1
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 43A Leistung : 39W Gehäuse : PG-TO220-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.5mΩ Montage : THT Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3GXKSA1 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; PG-TO220-3
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 43A Leistung : 39W Gehäuse : PG-TO220-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.5mΩ Montage : THT Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
Artikel-Nr.: 2805-IPA075N15N3GXKSA1 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IPA075N15N3GXKSA1 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 43A Leistung : 39W Gehäuse : PG-TO220-3 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 7.5mΩ Montage : THT Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
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