N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 200V Drainstrom : 24A Leistung : 96W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 50mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3GATMA1 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 200V Drainstrom : 24A Leistung : 96W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 50mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
- 型号:
- BSC500N20NS3GATMA1
* 所有产品信息均源于第三方公开数据或用户上传,工业链仅整合供参考,真实价格货期请联系供应商确认.
供应商名称 | 电话 | 备注 |
---|---|---|
暂无展示,可咨询在线客服 | 400-811-6961 | 微信咨询,cs11@gchane.com , QQ1429311537 |
产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 200V Drainstrom : 24A Leistung : 96W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 50mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3GATMA1 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 200V Drainstrom : 24A Leistung : 96W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 50mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
Artikel-Nr.: 2805-BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: BSC500N20NS3GATMA1 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Drain-Source Spannung : 200V Drainstrom : 24A Leistung : 96W Gehäuse : PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung : ±20V Widerstand im Leitungszustand : 50mΩ Montage : SMD Technologie : OptiMOS™ 3 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES
Startseite Elektronik, Elektrotechnik Aktive Bauelemente Gleichrichter Transistoren Dioden Transistor MOSFET