N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8.7A Leistung : 35W Gehäuse : DPAK Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRFR120ZTRPBF 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8.7A Leistung : 35W Gehäuse : DPAK Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
- 型号:
- IRFR120ZTRPBF
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8.7A Leistung : 35W Gehäuse : DPAK Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRFR120ZTRPBF 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 100V; 8,7A; 35W; DPAK
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8.7A Leistung : 35W Gehäuse : DPAK Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
Artikel-Nr.: 2805-IRFR120ZTRPBF Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: IRFR120ZTRPBF EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 100V Drainstrom : 8.7A Leistung : 35W Gehäuse : DPAK Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
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