N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 33A Leistung : 144W Gehäuse : DPAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 42mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.045K/W M IRFR4615PBF 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 33A Leistung : 144W Gehäuse : DPAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 42mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.045K/W M
- 型号:
- IRFR4615PBF
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 33A Leistung : 144W Gehäuse : DPAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 42mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.045K/W M IRFR4615PBF 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 150V; 33A; 144W; DPAK
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 33A Leistung : 144W Gehäuse : DPAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 42mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.045K/W M
Artikel-Nr.: 2805-IRFR4615PBF Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: IRFR4615PBF EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 150V Drainstrom : 33A Leistung : 144W Gehäuse : DPAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 42mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.045K/W Montage : SMD Gate-Ladung : 26nC Hersteller : Infineon (IRF)
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