P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : -55V Drainstrom : -31A Leistung : 110W Gehäuse : TO220AB Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 60mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.4K/W IRF5305PBF 晶体管-产品快照
- 品牌:
- P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : -55V Drainstrom : -31A Leistung : 110W Gehäuse : TO220AB Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 60mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.4K/W
- 型号:
- IRF5305PBF
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产品介绍
P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : -55V Drainstrom : -31A Leistung : 110W Gehäuse : TO220AB Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 60mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.4K/W IRF5305PBF 晶体管
Transistor: P-MOSFET; unipolar; HEXFET; -55V; -31A; 110W; TO220AB
P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : -55V Drainstrom : -31A Leistung : 110W Gehäuse : TO220AB Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 60mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.4K/W
Artikel-Nr.: 2805-IRF5305PBF Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: IRF5305PBF EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : P-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : -55V Drainstrom : -31A Leistung : 110W Gehäuse : TO220AB Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 60mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 1.4K/W Montage : THT Gate-Ladung : 42nC Hersteller : Infineon (IRF)
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