N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 270A Leistung : 300W Gehäuse : TO262 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 2mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 0.5K/W Mon AUIRF2804L 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 270A Leistung : 300W Gehäuse : TO262 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 2mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 0.5K/W Mon
- 型号:
- AUIRF2804L
* 所有产品信息均源于第三方公开数据或用户上传，工业链仅整合供参考，真实价格货期请联系供应商确认.
| 供应商名称 | 电话 | 备注 |
|---|---|---|
| 暂无展示，可咨询在线客服 | 400-811-6961 |
 微信咨询，cs10@gchane.com , QQ1653501665
|
产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 270A Leistung : 300W Gehäuse : TO262 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 2mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 0.5K/W Mon AUIRF2804L 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 40V; 270A; 300W; TO262
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 270A Leistung : 300W Gehäuse : TO262 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 2mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 0.5K/W Mon
Artikel-Nr.: 2805-AUIRF2804L Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: AUIRF2804L EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 270A Leistung : 300W Gehäuse : TO262 Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 2mΩ Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse : 0.5K/W Montage : THT Gate-Ladung : 160nC Hersteller : Infineon (IRF)
Startseite Elektronik, Elektrotechnik Aktive Bauelemente Gleichrichter Transistoren Dioden Transistor MOSFET
更多产品:
更多品牌:
