N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET; logic level Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 3.2A Leistung : 1.7W Gehäuse : TSOP6 Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRLMS1902TRPBF 晶体管

N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET; logic level Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 3.2A Leistung : 1.7W Gehäuse : TSOP6 Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRLMS1902TRPBF 晶体管-产品快照

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N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET; logic level Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 3.2A Leistung : 1.7W Gehäuse : TSOP6 Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)
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IRLMS1902TRPBF

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N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET; logic level Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 3.2A Leistung : 1.7W Gehäuse : TSOP6 Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF) IRLMS1902TRPBF 晶体管

Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET, logic level; 20V; 3,2A

N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET; logic level Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 3.2A Leistung : 1.7W Gehäuse : TSOP6 Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)

Artikel-Nr.: 2805-IRLMS1902TRPBF Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: IRLMS1902TRPBF EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET; logic level Drain-Source Spannung : 20V Drainstrom : 3.2A Leistung : 1.7W Gehäuse : TSOP6 Verpackungs-Art : Rolle Hersteller : Infineon (IRF)

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