N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 120A Leistung : 163W Gehäuse : D2PAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 1.9mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 107nC Hersteller : Infineo AUIRFS8405 晶体管-产品快照
- 品牌:
- N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 120A Leistung : 163W Gehäuse : D2PAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 1.9mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 107nC Hersteller : Infineo
- 型号:
- AUIRFS8405
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产品介绍
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 120A Leistung : 163W Gehäuse : D2PAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 1.9mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 107nC Hersteller : Infineo AUIRFS8405 晶体管
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 40V; 120A; 163W; D2PAK
N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 120A Leistung : 163W Gehäuse : D2PAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 1.9mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 107nC Hersteller : Infineo
Artikel-Nr.: 2805-AUIRFS8405 Hersteller: INFINEON (IRF) Herst.-Nr.: AUIRFS8405 EAN/GTIN: k.A. Transistortyp : N-MOSFET Polarisierung : unipolar Transistor-Art : HEXFET Drain-Source Spannung : 40V Drainstrom : 120A Leistung : 163W Gehäuse : D2PAK Gate-Source Spannung : 20V Widerstand im Leitungszustand : 1.9mΩ Montage : SMD Gate-Ladung : 107nC Hersteller : Infineon (IRF)
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