Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-80 MiniMELF · Hersteller: NXP Se BZV55-B3V3,115 晶体管-产品快照
- 品牌:
- Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-80 MiniMELF · Hersteller: NXP Se
- 型号:
- BZV55-B3V3,115
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产品介绍
Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-80 MiniMELF · Hersteller: NXP Se BZV55-B3V3,115 晶体管
Z-Diode BZV55-B3V3,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-80 MiniMELF NXP Semiconductors Zener-Spannung 3.3 V Leistung max. (Pt
Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-80 MiniMELF · Hersteller: NXP Se
Artikel-Nr.: 102-1110963-BP Hersteller: NXP Herst.-Nr.: BZV55-B3V3,115 EAN/GTIN: k.A. Z-Diode Technische Daten: Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 10 mA · Durchlassspannung U(F): 900 mV · Gehäuseart (Halbleiter): SOD-80 MiniMELF · Hersteller: NXP Semiconductors · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NXP · Impedanz: 95 Ω · Impedanz Referenz: 5 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung max. (Ptot): 500 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Rest-Sperrstrom: 5 µA · Rest-Sperrstrom Referenz: 1 V · Typ (Hersteller-Typ): BZV55-B3V3,115 · Zener-Spannung: 3.3 V · Zener-Spannung (max.): 3.4 V · Zener-Spannung (min.): 3.2 V · Zener-Spannung Toleranz: +2 %,-2 %
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