Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart: IRF7495PBF 晶体管-产品快照
- 品牌:
- Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart:
- 型号:
- IRF7495PBF
* 所有产品信息均源于第三方公开数据或用户上传,工业链仅整合供参考,真实价格货期请联系供应商确认.
供应商名称 | 电话 | 备注 |
---|---|---|
暂无展示,可咨询在线客服 | 400-811-6961 | 微信咨询,cs10@gchane.com , QQ1653501665 |
产品介绍
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart: IRF7495PBF 晶体管
Transistor unipolar (MOSFET) Infineon Technologies IRF7495PBF N-Kanal Gehäuseart SO-8 U(DS) 100 V
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart:
Artikel-Nr.: 102-160891-BP Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IRF7495PBF EAN/GTIN: k.A. Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart: SO-8 · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 7.3 A · Leistung max. P(tot): 2.5 W · Montageart (LOV): Oberflächenmontage · Q(G): 51 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 22 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.4 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET · Typ: IRF7495PBF · Typ (Hersteller-Typ): IRF7495PBF · U(DS): 100 V · U(DSS): 100 V
Startseite Elektronik, Elektrotechnik Aktive Bauelemente Gleichrichter Transistoren Dioden Transistor SMD-Transistor