Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart:  IRF7495PBF 晶体管

Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart: IRF7495PBF 晶体管-产品快照

品牌:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart:
型号:
IRF7495PBF

* 所有产品信息均源于第三方公开数据或用户上传,工业链仅整合供参考,真实价格货期请联系供应商确认.


供应商名称 电话 备注
暂无展示,可咨询在线客服 400-811-6961 微信咨询,cs10@gchane.com , QQ1653501665

供应商或现货商入驻,请点击>>

产品介绍

Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart: IRF7495PBF 晶体管

Transistor unipolar (MOSFET) Infineon Technologies IRF7495PBF N-Kanal Gehäuseart SO-8 U(DS) 100 V

Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart:

Artikel-Nr.: 102-160891-BP Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IRF7495PBF EAN/GTIN: k.A. Transistor unipolar (MOSFET) Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Ausführung (allgemein): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 1530 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart: SO-8 · Gehäuseart (Halbleiter): SO-8 · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): INF · I(d): 7.3 A · Leistung max. P(tot): 2.5 W · Montageart (LOV): Oberflächenmontage · Q(G): 51 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 22 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.4 A · Serie (Halbleiter): HEXFET® · Transistor-Merkmal: Standard · Transistor-Typ (Kategorisierung): MOSFET · Typ: IRF7495PBF · Typ (Hersteller-Typ): IRF7495PBF · U(DS): 100 V · U(DSS): 100 V

Startseite Elektronik, Elektrotechnik Aktive Bauelemente Gleichrichter Transistoren Dioden Transistor SMD-Transistor

工业链是免费的公众性百科和搜索工具,收录展现海量信息,方便用户查找、认识和连接全球工业品,受众多用户支持、加入和上传,任何问题请联系工业链。

更多产品:

更多品牌:

对于国内有品牌官方销售机构的品类,建议直接咨询其国内机构;对于国内无官方销售机构、需从海外原厂采购的产品,或有相关问题,可联系工业链咨询了解;工业链非品牌官方原厂、代理商或办事处,仅按客户指定要求协助其从原厂或其授权代理采购原装产品,不代采任何品牌方不许可产品,网站制造品牌及其商标均归其权属人所有。