Vishay威世 SiHG28N60EF-GE3 晶体管-产品快照
- 品牌:
- Vishay
- 型号:
- SiHG28N60EF-GE3
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供应商名称 | 电话 | 备注 |
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产品介绍
Vishay威世 SiHG28N60EF-GE3 晶体管
N-Kanal MOSFET Transistor & Diode SiHG28N60EF-GE3, 600 V 28 A, TO-247AC 3-Pin - Herst.-Teile-Nr.: SiHG28N60EF-GE3
Vishay
Artikel-Nr.: 108EL-903-4497 Hersteller: Vishay Herst.-Nr.: SiHG28N60EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom. Niedriger Gütefaktor (FOM). Niedrige Eingangskapazität (Ciss). Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen. Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 28 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 0,123 Ohms Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = ±30 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = Durchsteckmontage Pinanzahl = 3 Channel Mode = Enhancement
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