ST Microelectronics STB36NM60ND 晶体管-产品快照
- 品牌:
- ST Microelectronics
- 型号:
- STB36NM60ND
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产品介绍
ST Microelectronics STB36NM60ND 晶体管
N-Kanal MOSFET Transistor STB36NM60ND, 600 V 29 A, D2PAK 3-Pin - Herst.-Teile-Nr.: STB36NM60ND
ST Microelectronics
Artikel-Nr.: 108EL-792-5701 Hersteller: ST Microelectronics Herst.-Nr.: STB36NM60ND EAN/GTIN: k.A. Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Drain-Source-Widerstand max. = 0,11 Ohms Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Gate-Source Spannung max. = ±25 V Gehäusegröße = D2PAK Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3
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