Infineon BSZ067N06LS3 G 晶体管-产品快照
- 品牌:
- Infineon
- 型号:
- BSZ067N06LS3 G
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产品介绍
Infineon BSZ067N06LS3 G 晶体管
N-Kanal MOSFET Transistor BSZ067N06LS3 G, 60 V 20 A, TSDSON 8-Pin - Herst.-Teile-Nr.: BSZ067N06LS3 G
Infineon
Artikel-Nr.: 108EL-754-5364 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: BSZ067N06LS3 G EAN/GTIN: k.A. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS . Optimierte Technik für DC/DC-Wandler . Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen . N-Kanal, Logikebene . Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) . Sehr geringer Widerstand R DS(ON) . Pb-frei Beschichtung Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 0,0121 Ohms Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gehäusegröße = TSDSON Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
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