Vishay威世  SI9945BDY-T1-GE3 晶体管

Vishay威世 SI9945BDY-T1-GE3 晶体管-产品快照

品牌:
Vishay
型号:
SI9945BDY-T1-GE3

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供应商名称 电话 备注
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TME
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产品介绍

Vishay威世 SI9945BDY-T1-GE3 晶体管

N-Kanal MOSFET Transistor SI9945BDY-T1-GE3 Dual, 60 V 5,3 A, SOIC 8-Pin - Herst.-Teile-Nr.: SI9945BDY-T1-GE3

Vishay

Artikel-Nr.: 108EL-919-4189 Hersteller: Vishay Herst.-Nr.: SI9945BDY-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Drain-Source-Widerstand max. = 0,072 Ohms Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gehäusegröße = SOIC Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel Mode = Enhancement

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