Infineon IPB025N10N3 G 晶体管

Infineon IPB025N10N3 G 晶体管-产品快照

品牌:
Infineon
型号:
IPB025N10N3 G

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产品介绍

Infineon IPB025N10N3 G 晶体管

N-Kanal MOSFET Transistor IPB025N10N3 G, 100 V 180 A, TO-263 7-Pin - Herst.-Teile-Nr.: IPB025N10N3 G

Infineon

Artikel-Nr.: 108EL-754-5421 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IPB025N10N3 G EAN/GTIN: k.A. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS . Optimierte Technik für DC/DC-Wandler . Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen . N-Kanal, Logikebene . Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) . Sehr geringer Widerstand R DS(ON) . Pb-frei Beschichtung Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 180 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Drain-Source-Widerstand max. = 0,0044 Ohms Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gehäusegröße = TO-263 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7

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