Infineon IPS105N03L G 晶体管

Infineon IPS105N03L G 晶体管-产品快照

品牌:
Infineon
型号:
IPS105N03L G

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产品介绍

Infineon IPS105N03L G 晶体管

N-Kanal MOSFET Transistor IPS105N03L G, 30 V 35 A, TO-251 3-Pin - Herst.-Teile-Nr.: IPS105N03L G

Infineon

Artikel-Nr.: 108EL-754-5503 Hersteller: Infineon Herst.-Nr.: IPS105N03L G EAN/GTIN: k.A. Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS . Optimierte Technik für DC/DC-Wandler . Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen . N-Kanal, Logikebene . Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM) . Sehr geringer Widerstand R DS(ON) . Pb-frei Beschichtung Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 35 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Drain-Source-Widerstand max. = 15,5 MOhms Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Gate-Source Spannung max. = ±20 V Gehäusegröße = TO-251 Montage-Typ = Durchsteckmontage Pinanzahl = 3

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