BZT52H-C6V2,115 齐纳二极管-产品快照
- 品牌:
- BZT52H-C6V2,115
- 型号:
- BZT52H-C6V2,115
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产品介绍
BZT52H-C6V2,115 齐纳二极管
Z-Diode BZT52H-C6V2,115 Gehäuseart (Halbleiter) SOD-123F NXP Semiconductors Zener-Spannung 6.2 V Leistung max. (Ptot) 37
BZT52H-C6V2,115
Technische Daten Typ BZT52H-C6V2,115 Hersteller NXP Semiconductors Herst.-Abk. NXP Kategorie Z-Diode Z.-Spg. (U Z ) 6.2 V Z.-Spg. Toleranz +5 %, -5 % Leistung (max.) 375 mW Impedanz 10 Ω Impedanz Referenz 5 mA U F 900 mV Durchlassspannung Referenz 10 mA Betriebstemperatur (min.) -65 °C Betriebstemperatur (max.) +200 °C Konfiguration einfache Diode Rest-Sperrstrom 3 µA Rest-Sperrstrom Referenz 4 V Z.-Spg. max. 6.5 V Z.-Spg. min. 5.9 V Gehäuse SOD-123F Montageart Oberflächenmontage
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Z-Dioden