BZV55C10 L1 齐纳二极管-产品快照
- 品牌:
- BZV55C10 L1
- 型号:
- BZV55C10 L1
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产品介绍
BZV55C10 L1 齐纳二极管
Z-Diode BZV55C10 L1 Gehäuseart (Halbleiter) LL-34 Taiwan Semiconductor Zener-Spannung 10 V Leistung max. (Ptot) 500 mW
BZV55C10 L1
Technische Daten Typ BZV55C10 L1 Hersteller Taiwan Semiconductor Herst.-Abk. TSC Kategorie Z-Diode Z.-Spg. (U Z ) 10 V Z.-Spg. Toleranz +5 %, -5 % Leistung (max.) 500 mW Impedanz 15 Ω Impedanz Referenz 5 mA Betriebstemperatur (min.) -65 °C Betriebstemperatur (max.) +200 °C Konfiguration einfache Diode Rest-Sperrstrom 0.1 µA Z.-Spg. max. 10.6 V Z.-Spg. min. 9.4 V Gehäuse LL-34 Montageart Oberflächenmontage
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