TOSHIBA东芝  TRS12E65C,S1AQ(S 二级管

TOSHIBA东芝 TRS12E65C,S1AQ(S 二级管-产品快照

品牌:
TOSHIBA
型号:
TRS12E65C,S1AQ(S

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产品介绍

TOSHIBA东芝 TRS12E65C,S1AQ(S 二级管

Toshiba TRS12E65C,S1AQ(S, Schottky Diode, 650V 12A, 2-Pin TO-220

Toshiba

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Toshiba SiC Schottky barrier diodes help reduce the energy consumption. Low-loss and high-efficiency power conversionLow leakage currentHigh-speed switchingRecovery characteristics independent of temperature Diodes and Rectifiers, Toshiba ; Maximum Continuous Forward Current 12A; Diode Configuration Single; Number of Elements per Chip 1; Peak Reverse Repetitive Voltage 650V; Mounting Type Through Hole; Package Type TO-220; Diode Type Schottky; Peak Forward Voltage 1.7V; Pin Count 2; Length 10.03mm; Width 4.45mm; Height 15.11mm; Peak Reverse Current 90µA; Maximum Operating Temperature +175 °C; Dimensions 10.03 x 4.45 x 15.11mm;

Rectifier & Schottky Diodes

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