FUJI富士 FMW20N60S1HF 晶体管-产品快照
- 品牌:
- FUJI
- 型号:
- FMW20N60S1HF
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| 供应商名称 | 电话 | 备注 |
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产品介绍
FUJI富士 FMW20N60S1HF 晶体管
Fuji FMW20N60S1HF N-channel MOSFET Transistor, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-247
Fuji Electric
N-Channel Power MOSFET, Super J MOS, Fuji Electric N-Channel enhancement mode power MOSFETs - Low on-resistance- Low noise- Low switching loss MOSFET Transistors, Fuji Electric ; Channel Type N; Maximum Continuous Drain Current 20 A; Maximum Drain Source Voltage 600 V; Maximum Drain Source Resistance 0.19 Ω; Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V; Maximum Gate Source Voltage ±30 V; Package Type TO-247; Mounting Type Through Hole; Pin Count 3; Channel Mode Enhancement; Category Power MOSFET; Maximum Power Dissipation 140 W; Configuration Single; Maximum Operating Temperature +150 °C; Height 20.95mm; Number of Elements per Chip 1; Width 5.03mm; Length 15.9mm; Dimensions 15.9 x 5.03 x 20.95mm; Transistor Material Si; Typical Turn-On Delay Time 40 ns; Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 10 V; Typical Input Capacitance @ Vds 1470 pF @ 10 V; Typical Turn-Off Delay Time 162 ns;
MOSFET Transistors
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