ON Semiconductor NVMFD5877NLT1G 晶体管

ON Semiconductor NVMFD5877NLT1G 晶体管-产品快照

品牌:
ON Semiconductor
型号:
NVMFD5877NLT1G

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产品介绍

ON Semiconductor NVMFD5877NLT1G 晶体管

ON Semiconductor NVMFD5877NLT1G Dual N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 60 V, 8-Pin DFN

ON Semiconductor

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor MOSFET Transistors, ON Semiconductor ; Channel Type N; Maximum Continuous Drain Current 17 A; Maximum Drain Source Voltage 60 V; Maximum Drain Source Resistance 0.06 Ω; Maximum Gate Threshold Voltage 3V; Maximum Gate Source Voltage ±20 V; Package Type DFN; Mounting Type Surface Mount; Pin Count 8; Channel Mode Enhancement; Category Power MOSFET; Maximum Power Dissipation 23 W; Configuration Dual; Number of Elements per Chip 2; Width 5.1mm; Typical Gate Charge @ Vgs 11 nC @ 10 V; Minimum Operating Temperature -55 °C; Typical Turn-Off Delay Time 14.5 ns; Typical Input Capacitance @ Vds 540 pF @ 25 V; Typical Turn-On Delay Time 8.1 ns; Transistor Material Si; Dimensions 6.1 x 5.1 x 1.05mm; Length 6.1mm; Maximum Operating Temperature +175 °C; Height 1.05mm;

MOSFET Transistors

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