TOSHIBA东芝 2SK3176(F) 晶体管-产品快照
- 品牌:
- TOSHIBA
- 型号:
- 2SK3176(F)
* 所有产品信息均源于第三方公开数据或用户上传,工业链仅整合供参考,真实价格货期请联系供应商确认.
供应商名称 | 电话 | 备注 |
---|---|---|
深圳市日贸机电有限公司 | 0755-82559810 | |
山善(深圳)贸易有限公司 | 021-54452266 | |
东芝三菱电机工业系统(中国)有限公司 | 010-5873 2277 | |
上海提迈克电力电子有限公司 | 021-31296828 | |
盐城提迈克电力电子有限公司 | ||
广州东芝白云菱机电力电子有限公司 | 020-2626 1625 | 电力电子设备的销售及加工制造 |
上海宝菱电气控制设备有限公司 | 021-3621 3659 | 控制系统、变频器及配电盘的加工制造 |
东芝工业机器系统(上海)有限公司 | 021-63613300 | 变频器、电机 |
东莞市盈一机电设备有限公司 | 0769-85479919 | 电机、变频器 |
产品介绍
TOSHIBA东芝 2SK3176(F) 晶体管
Toshiba 2SK3176(F) N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 200 V, 3-Pin TO-3PN
Toshiba
MOSFET N-Channel π-MOS Series, Toshiba MOSFET Transistors, Toshiba ; Channel Type N; Maximum Continuous Drain Current 30 A; Maximum Drain Source Voltage 200 V; Maximum Drain Source Resistance 0.052 Ω; Maximum Gate Threshold Voltage 3.5V; Maximum Gate Source Voltage ±20 V; Package Type TO-3PN; Mounting Type Through Hole; Pin Count 3; Channel Mode Enhancement; Category Power MOSFET; Maximum Power Dissipation 150 W; Configuration Single; Number of Elements per Chip 1; Minimum Operating Temperature -55 °C; Typical Gate Charge @ Vgs 125 nC @ 10 V; Typical Input Capacitance @ Vds 5400 pF@ 10 V; Transistor Material Si; Length 15.9mm; Height 19mm; Maximum Operating Temperature +150 °C; Dimensions 15.9 x 4.8 x 19mm; Width 4.8mm;
MOSFET Transistors