Vishay威世 IRLD110PBF 晶体管

Vishay威世 IRLD110PBF 晶体管-产品快照

品牌:
Vishay
型号:
IRLD110PBF

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TME
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产品介绍

Vishay威世 IRLD110PBF 晶体管

Vishay IRLD110PBF N-channel MOSFET Transistor, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP

Vishay

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor ; Channel Type N; Maximum Continuous Drain Current 1 A; Maximum Drain Source Voltage 100 V; Maximum Drain Source Resistance 0.54 Ω; Minimum Gate Threshold Voltage 1V; Maximum Gate Source Voltage ±10 V; Package Type HVMDIP; Mounting Type Through Hole; Pin Count 4; Channel Mode Enhancement; Category Power MOSFET; Maximum Power Dissipation 1.3 W; Configuration Dual Drain, Single; Typical Turn-On Delay Time 9.3 ns; Dimensions 5 x 6.29 x 3.37mm; Length 5mm; Minimum Operating Temperature -55 °C; Typical Gate Charge @ Vgs 6.1 nC @ 5 V; Width 6.29mm; Typical Turn-Off Delay Time 16 ns; Transistor Material Si; Maximum Operating Temperature +175 °C; Height 3.37mm; Number of Elements per Chip 1; Typical Input Capacitance @ Vds 250 pF @ 25 V;

MOSFET Transistors

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