FUJI富士 1MBi75U4F-120L-50 晶体管-产品快照
- 品牌:
- FUJI
- 型号:
- 1MBi75U4F-120L-50
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供应商名称 | 电话 | 备注 |
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产品介绍
FUJI富士 1MBi75U4F-120L-50 晶体管
Fuji 1MBi75U4F-120L-50, M262 IGBT Module, 75 A max, 1200 V, Panel Mount
Fuji Electric
IGBT Modules 1-Pack, Fuji Electric V-Series, 6th Generation Field-StopU/U4 Series, 5th Generation Field-StopHH Series, Planar-NPT High-Speed Chooper IGBTs IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device. ; Configuration Single; Maximum Continuous Collector Current 75 A; Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V; Maximum Gate Emitter Voltage ±20V; Channel Type N; Mounting Type Panel Mount; Package Type M262; Pin Count 7; Maximum Power Dissipation 400 W; Dimensions 94 x 34 x 30mm; Height 30mm; Length 94mm; Maximum Operating Temperature +150 °C; Width 34mm;
IGBT Transistor Modules