FUJI富士 2MBI100U4A-120-50 晶体管-产品快照
- 品牌:
- FUJI
- 型号:
- 2MBI100U4A-120-50
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产品介绍
FUJI富士 2MBI100U4A-120-50 晶体管
Fuji 2MBI100U4A-120-50, M232 Series IGBT Module, 100 A max, 1200 V, Panel Mount
Fuji Electric
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric V-Series, 6th Generation Field-StopU/U4 Series, 5th Generation Field-StopS-Series, 4th Generation NPT IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device. ; Configuration Series; Transistor Configuration Series; Maximum Continuous Collector Current 100 A; Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V; Maximum Gate Emitter Voltage ±20V; Channel Type N; Mounting Type Panel Mount; Package Type M232; Pin Count 7; Maximum Power Dissipation 540 W; Dimensions 92 x 34 x 30mm; Height 30mm; Length 92mm; Maximum Operating Temperature +150 °C; Width 34mm;
IGBT Transistor Modules
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