TOSHIBA东芝 HN4B04J(TE85L,F) 晶体管-产品快照
- 品牌:
- TOSHIBA
- 型号:
- HN4B04J(TE85L,F)
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产品介绍
TOSHIBA东芝 HN4B04J(TE85L,F) 晶体管
Toshiba HN4B04J(TE85L,F) Dual NPN+PNP Bipolar Transistor, 0.5 A, 30 V, 5-Pin SMV
Toshiba
Dual NPN/PNP Transistors, Toshiba Bipolar Transistors, Toshiba ; Transistor Type NPN, PNP; Maximum DC Collector Current 0.5 A; Maximum Collector Emitter Voltage 30 V; Package Type SMV; Mounting Type Surface Mount; Maximum Power Dissipation 0.3 W; Minimum DC Current Gain 25; Configuration Common Emitter; Maximum Collector Base Voltage -35 V, 35 V; Maximum Emitter Base Voltage -5 (PNP) V, 5 (NPN) V; Maximum Operating Frequency 200 (PNP) MHz, 300 (NPN) MHz; Pin Count 5; Number of Elements per Chip 2; Length 2.9mm; Maximum Collector Emitter Saturation Voltage -0.25 (PNP) V, 0.25 (NPN) V; Maximum Operating Temperature +150 °C; Width 1.6mm; Height 1.1mm; Dimensions 2.9 x 1.6 x 1.1mm;
Bipolar Transistors
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