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NXP品牌快照信息
- NXP官网:
- nxp.com
- 原产地:
- 荷兰
- 品牌全称:
- NXP
- NXP产品:
- 二极管、滤波器、控制器、双极晶体管、传感器、固定器、收发器
- 应用领域:
- 电机控制、汽车、医疗保健
NXP公司简介
NXP半导体公司(纳斯达克:NXPI)为更智能的世界提供安全的连接和基础设施,推动解决方案,使生活更轻松,更好,更安全。 作为嵌入式应用安全连接解决方案的世界先行者,恩智浦推动安全连接车辆,端到端安全和隐私以及智能连接解决方案市场的创新。 公司拥有超过60年的综合经验和专业知识,在35个国家拥有45,000名员工。
供应商名称 | 电话 | 备注 |
---|---|---|
得捷电子(上海)有限公司 | 400 920 1199 |
NXP型号
产品名称 | 型号 |
---|---|
PNP BISS load switch, –60 V, –1.5 A, 110/175 mohm, 2.2 kohm, SOT457, PBLS6021D.115, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 1026 |
Zener diode, 357 mW, 15 V, 13.8 to 15.6 V, SOD123F, BZT52H-C15, NXP 二极管 | 21 S 6056 |
Zener diode, 357 mW, 9.1 V, 8.92 to 9.28 V, SOD123F, BZT52H-B9V1, NXP 二极管 | 21 S 6014 |
Medium power transistor, NPN, 60 V, 1.0 A, 100 to 250, DFN2020D-3, BC55-16PASX, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 1005 |
Transistor BSR4, SOT89, NXP 晶体管和晶闸管 | 17 S 7540 |
Small signal diode, VRRM 100 V, 200 mA, 500 mW, DO35, 1N4148, NXP 二极管 | 26 S 8150 |
High-voltage transistor, PNP, 150 V, 1.0 A, h(FE) 100/250, SOT23, PBHV8115T.215, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 1017 |
Zener diode, 357 mW, 6.8 V, 6.66 to 6.94 V, SOD123F, BZT52H-B6V8, NXP 二极管 | 21 S 6011 |
Diode BAV70, SOT23, NXP 二极管 | 10 S 8050 |
Junction FET, ±30 V, 3.0 to 7.0 mA, 300 mW, TO92, BF256A, NXP 晶体管和晶闸管 | 16 S 1900 |
Zener diode, 357 mW, 62 V, 58 to 66 V, SOD123F, BZT52H-C62, NXP 二极管 | 21 S 6071 |
Switching diode array, 60 V, 200 mA, anode 4.3, cathode 1, 2, BAS56, NXP 二极管 | 10 S 7210 |
Zener diode, 500 mW, 27 V, DO35, BZX79/C27, NXP 二极管 | 22 S 6250 |
Resistor-Equipped Transistor, PUMB11.115, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 2021 |
Diode BAV99, SOT23, NXP 二极管 | 10 S 8250 |
Microcontroller, MK82FN256VDC15, NXP 处理器和微控制器 | 51 S 5002 |
Zener diode, 357 mW, 56 V, 54.9 to 57.1 V, SOD123F, BZT52H-B56, NXP 二极管 | 21 S 6033 |
Zener diode, 357 mW, 43 V, 40 to 46 V, SOD123F, BZT52H-C43, NXP 二极管 | 21 S 6067 |
High-voltage transistor, PNP, –500 V, –0.25 A, h(FE) 100/200, SOT223, PBHV9040Z.115, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 1016 |
Zener diode, 357 mW, 12 V, 11.8 to 11.2 V, SOD123F, BZT52H-B12, NXP 二极管 | 21 S 6017 |
Transistor BSR14, SOT23, NXP 晶体管和晶闸管 | 17 S 7505 |
Zener diode, 357 mW, 18 V, 17.6 to 18.4 V, SOD123F, BZT52H-B18, NXP 二极管 | 21 S 6021 |
BISS transistor, PNP, –20 V, –3.0 A, 105 mohm, SOT89, PBSS5320X.135, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 1076 |
Zener diode, 357 mW, 5.6 V, 5.49 to 5.71 V, SOD123F, BZT52H-B5V6, NXP 二极管 | 21 S 6009 |
High-voltage transistor, NPN, 500 V, 0.5 A, h(FE) 100/200, SOT223, PBHV8540Z.115, NXP 晶体管和晶闸管 | 29 S 1015 |
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