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Panjit | 美国 | 触摸屏、控制器、电阻触摸屏、显示器、二极管整流器、双极结晶体管 | Panjit供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1 | SMD Schottky rectifier diode, VRRM 60 V, VRMS 42 V, IF 1.0 A, DO214AC, SS16L UCR1 UC00001, Panjit 二极管 | 39 S 1000 | 39 S 1000 | 实时确认>> |
| 2 | SMD TVS diode, 3000 W, 30 V, DO214AB, 3.0SMCJ30A UCR1 UC00001, Panjit 二极管 | 39 S 1024 | 39 S 1024 | 实时确认>> |
| 3 | Silicon bridge rectifier, -55 °C, Panjit, KBU8G _B0 _10001 整流器 | 39 S 1006 | 39 S 1006 | 实时确认>> |
| 4 | SMD TVS diode, 3000 W, 33 V, DO214AB, 3.0SMCJ33CA UCR1 UC00001, Panjit 二极管 | 39 S 1026 | 39 S 1026 | 实时确认>> |
| 5 | Rectifier diode, VRRM 1000 V, 1.0 A, DO41, 1N4007, Panjit 二极管 | 26 S 8100 | 26 S 8100 | 实时确认>> |
| 6 | SMD TVS diode, 3000 W, 85 V, DO214AB, 3.0SMCJ85CA UCR1 UC00001, Panjit 二极管 | 39 S 1030 | 39 S 1030 | 实时确认>> |
| 7 | Silicon bridge rectifier, -55 °C, Panjit, KBU8J _B0 _10001 整流器 | 39 S 1008 | 39 S 1008 | 实时确认>> |
| 8 | Silicon bridge rectifier, -55 °C, Panjit, KBU8D _B0 _10001 整流器 | 39 S 1004 | 39 S 1004 | 实时确认>> |
| 9 | Silicon bridge rectifier, -55 °C, Panjit, KBU8A _B0 _10001 整流器 | 39 S 1002 | 39 S 1002 | 实时确认>> |
| 10 | SMD TVS diode, 3000 W, 40 V, DO214AB, 3.0SMCJ40A UCR1 UC00001, Panjit 二极管 | 39 S 1028 | 39 S 1028 | 实时确认>> |
| 11 | SMD TVS diode, 3000 W, 12 V, DO214AB, 3.0SMCJ12CA UCR1 UC10001, Panjit 二极管 | 39 S 1020 | 39 S 1020 | 实时确认>> |
| 12 | SMD TVS diode, 3000 W, 26 V, DO214AB, 3.0SMCJ26A UCR1 UC00001, Panjit 二极管 | 39 S 1022 | 39 S 1022 | 实时确认>> |
| 13 | Panjit - 2N7002DW _R1 _00001 - Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R (Qty = 3000) | 2N7002DW _R1 _00001 | 2N7002DW _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 14 | Panjit - 2N7002K _R1 _00001 - Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Qty = 6000) | 2N7002K _R1 _00001 | 2N7002K _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 15 | Panjit - BZD27C5V6P _R1 _00001 - Diode Zener Single 5.6V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C5V6P _R1 _00001 | BZD27C5V6P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 16 | Panjit - BZD27C16P _R1 _00001 - Diode Zener Single 16V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C16P _R1 _00001 | BZD27C16P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 17 | Panjit - BZD27C5V6P_ R2 _00001 - Diode Zener Single 5.6V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 10000) 二级管 | BZD27C5V6P_ R2 _00001 | BZD27C5V6P_ R2 _00001 | 实时确认>> |
| 18 | Panjit - BZD27C56P _R1 _00001 - Diode Zener Single 56V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C56P _R1 _00001 | BZD27C56P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 19 | Panjit - BZD27C30P _R1 _00001 - Diode Zener Single 30V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C30P _R1 _00001 | BZD27C30P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 20 | Panjit - BZD27C15P _R1 _00001 - Diode Zener Single 15V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C15P _R1 _00001 | BZD27C15P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 21 | Panjit - BZD27C33P _R1 _00001 - Diode Zener Single 33V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C33P _R1 _00001 | BZD27C33P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 22 | Panjit - BZD27C10P _R1 _00001 - Diode Zener Single 10V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C10P _R1 _00001 | BZD27C10P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 23 | Panjit - PJT1SMA5937TR7 - Diode Zener Single 33V 5% 1.5W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | PJT1SMA5937TR7 | PJT1SMA5937TR7 | 实时确认>> |
| 24 | Panjit - PJT1N5934BTB - Diode Zener Single 24V 5% 1.5W 2-Pin DO-41 Ammo (MOQ = 1180) 二级管 | PJT1N5934BTB | PJT1N5934BTB | 实时确认>> |
| 25 | Panjit - PJT1SMA4738TR13 - Diode Zener Single 8.2V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 7500) 二级管 | PJT1SMA4738TR13 | PJT1SMA4738TR13 | 实时确认>> |
| 26 | Panjit - PJT1SMA4744TR13 - Diode Zener Single 15V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 7500) 二级管 | PJT1SMA4744TR13 | PJT1SMA4744TR13 | 实时确认>> |
| 27 | Panjit - PJTBZD27C30PTR7 - Diode Zener Single 30V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C30PTR7 | PJTBZD27C30PTR7 | 实时确认>> |
| 28 | Panjit - PJT1SMA5932TR7 - Diode Zener Single 20V 5% 1.5W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | PJT1SMA5932TR7 | PJT1SMA5932TR7 | 实时确认>> |
| 29 | Panjit - PJT1N5919BTR - Diode Zener Single 5.6V 5% 1.5W 2-Pin DO-41 T/R (MOQ = 5000) 二级管 | PJT1N5919BTR | PJT1N5919BTR | 实时确认>> |
| 30 | Panjit - PJTBZD27C10PTR7 - Diode Zener Single 10V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C10PTR7 | PJTBZD27C10PTR7 | 实时确认>> |
| 31 | Panjit - PJT1SMB5934TR13 - Diode Zener Single 24V 5% 1.5W 2-Pin SMB T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJT1SMB5934TR13 | PJT1SMB5934TR13 | 实时确认>> |
| 32 | Panjit - PJTBZD27C51PTR7 - Diode Zener Single 51V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C51PTR7 | PJTBZD27C51PTR7 | 实时确认>> |
| 33 | Panjit - PJTBZD27C8V2PTR7 - Diode Zener Single 8.2V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C8V2PTR7 | PJTBZD27C8V2PTR7 | 实时确认>> |
| 34 | Panjit - PJT1SMA4741TR13 - Diode Zener Single 11V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 7500) 二级管 | PJT1SMA4741TR13 | PJT1SMA4741TR13 | 实时确认>> |
| 35 | Panjit - PJTBZD27C6V2PTR7 - Diode Zener Single 6.2V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C6V2PTR7 | PJTBZD27C6V2PTR7 | 实时确认>> |
| 36 | Panjit - PJTMMBZ5221BTWTR7 - Diode Zener Triple Parallel 2.4V 5% 200mW 6-Pin SOT-363 T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTMMBZ5221BTWTR7 | PJTMMBZ5221BTWTR7 | 实时确认>> |
| 37 | Panjit - PJT1SMA4750TR7 - Diode Zener Single 27V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | PJT1SMA4750TR7 | PJT1SMA4750TR7 | 实时确认>> |
| 38 | Panjit - PJT1SMA4742TR7 - Diode Zener Single 12V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | PJT1SMA4742TR7 | PJT1SMA4742TR7 | 实时确认>> |
| 39 | Panjit - PJTBZD27C4V7PTR7 - Diode Zener Single 4.7V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C4V7PTR7 | PJTBZD27C4V7PTR7 | 实时确认>> |
| 40 | Panjit - PJT1SMA4740TR7 - Diode Zener Single 10V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | PJT1SMA4740TR7 | PJT1SMA4740TR7 | 实时确认>> |
| 41 | Panjit - PJTBZD27C6V8PTR7 - Diode Zener Single 6.8V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C6V8PTR7 | PJTBZD27C6V8PTR7 | 实时确认>> |
| 42 | Panjit - PJT1N5364BTR - Diode Zener Single 33V 5% 5W 2-Pin DO-201AE T/R (MOQ = 1250) 二级管 | PJT1N5364BTR | PJT1N5364BTR | 实时确认>> |
| 43 | Panjit - PJTBZD27C33PTR7 - Diode Zener Single 33V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C33PTR7 | PJTBZD27C33PTR7 | 实时确认>> |
| 44 | Panjit - PJT1SMB3EZ15TR13 - Diode Zener Single 15V 5% 3W 2-Pin SMB T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJT1SMB3EZ15TR13 | PJT1SMB3EZ15TR13 | 实时确认>> |
| 45 | Panjit - PJTBZD27C12PTR7 - Diode Zener Single 12V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C12PTR7 | PJTBZD27C12PTR7 | 实时确认>> |
| 46 | Panjit - PJTBZD27C27PTR7 - Diode Zener Single 27V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C27PTR7 | PJTBZD27C27PTR7 | 实时确认>> |
| 47 | Panjit - PJTBZD27C56PTR7 - Diode Zener Single 56V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C56PTR7 | PJTBZD27C56PTR7 | 实时确认>> |
| 48 | Panjit - PJTBZD27C36PTR7 - Diode Zener Single 36V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C36PTR7 | PJTBZD27C36PTR7 | 实时确认>> |
| 49 | Panjit - PJT1SMA4746TR7 - Diode Zener Single 18V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | PJT1SMA4746TR7 | PJT1SMA4746TR7 | 实时确认>> |
| 50 | Panjit - PJTBZD27C5V1PTR7 - Diode Zener Single 5.1V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C5V1PTR7 | PJTBZD27C5V1PTR7 | 实时确认>> |
| 51 | Panjit - PJT1SMB3EZ12TR13 - Diode Zener Single 12V 5% 3W 2-Pin SMB T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJT1SMB3EZ12TR13 | PJT1SMB3EZ12TR13 | 实时确认>> |
| 52 | Panjit - PJTBZD27C20PTR7 - Diode Zener Single 20V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | PJTBZD27C20PTR7 | PJTBZD27C20PTR7 | 实时确认>> |
| 53 | Panjit - 1SMA4744_ R2 _10001 - Diode Zener Single 15V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 7500) 二级管 | 1SMA4744_ R2 _10001 | 1SMA4744_ R2 _10001 | 实时确认>> |
| 54 | Panjit - 1SMA4740 _R1 _10001 - Diode Zener Single 10V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | 1SMA4740 _R1 _10001 | 1SMA4740 _R1 _10001 | 实时确认>> |
| 55 | Panjit - 1SMB3EZ15_ R2 _10001 - Diode Zener Single 15V 5% 3W 2-Pin SMB T/R (MOQ = 3000) 二级管 | 1SMB3EZ15_ R2 _10001 | 1SMB3EZ15_ R2 _10001 | 实时确认>> |
| 56 | Panjit - 1SMA5927_R1_00001 - Diode Zener Single 12V 5% 1.5W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | 1SMA5927_R1_00001 | 1SMA5927_R1_00001 | 实时确认>> |
| 57 | Panjit - 1SMA4738_ R2 _10001 - Diode Zener Single 8.2V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 7500) 二级管 | 1SMA4738_ R2 _10001 | 1SMA4738_ R2 _10001 | 实时确认>> |
| 58 | Panjit - 1SMA4754_R1_00001 - Diode Zener Single 39V 5% 1W 2-Pin SMA T/R (MOQ = 1800) 二级管 | 1SMA4754_R1_00001 | 1SMA4754_R1_00001 | 实时确认>> |
| 59 | Panjit - ZMM55C5V1 _R1 _10001 - Diode Zener Single 5.1V 5% 500mW 2-Pin Mini-MELF T/R (Qty = 7500) 二级管 | ZMM55C5V1 _R1 _10001 | ZMM55C5V1 _R1 _10001 | 实时确认>> |
| 60 | Panjit - MMBZ5221BTW _R1 _00001 - Diode Zener Triple Parallel 2.4V 5% 200mW 6-Pin SOT-363 T/R (Qty = 3000) 二级管 | MMBZ5221BTW _R1 _00001 | MMBZ5221BTW _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 61 | Panjit - BZD27C12P _R1 _00001 - Diode Zener Single 12V 5% 800mW 2-Pin SOD-123FL T/R (MOQ = 3000) 二级管 | BZD27C12P _R1 _00001 | BZD27C12P _R1 _00001 | 实时确认>> |
| 62 | Panjit - DL4742A_ R2 _10001 - Diode Zener Single 12V 5% 1W 2-Pin DL-41 T/R (MOQ = 5000) 二级管 | DL4742A_ R2 _10001 | DL4742A_ R2 _10001 | 实时确认>> |
| 63 | Panjit - PJTPJDLC03TR7 - ESD Suppressor TVS 15KV 3-Pin SOT-23 T/R (MOQ = 3000) | PJTPJDLC03TR7 | PJTPJDLC03TR7 | 实时确认>> |
| 64 | PANJIT 二级管 | PANJIT | 3000× PANJIT SK36 SCHOTTKY DIODE 60V 3A 0.75Vf POWER RECTIFIER SMC SMD SMT REEL | 实时确认>> |
| 65 | PanJit 模块 | PanJit | EGG1010AI06 | 实时确认>> |
| 66 | Gehäuseart: DO-201AD · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · I(F): 5 A · Spannung (U): 60 V · Sperrspannung U(R): 60 V · Typ: SB560L 晶体管 | Gehäuseart: DO-201AD · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · I(F): 5 A · Spannung (U): 60 V · Sperrspannung U(R): 60 V · Typ: SB560L | SB560L | 实时确认>> |
| 67 | Gehäuseart: DO-201AD · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · I(F): 5 A · Spannung (U): 50 V · Sperrspannung U(R): 50 V · Typ: SB550 晶体管 | Gehäuseart: DO-201AD · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · I(F): 5 A · Spannung (U): 50 V · Sperrspannung U(R): 50 V · Typ: SB550 | SB550 | 实时确认>> |
| 68 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 23 Ω · Impedanz Referenz: 1 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 23 Ω · Impedanz Referenz: 1 | 1N5935B | 实时确认>> |
| 69 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste | 1N4753A-G | 实时确认>> |
| 70 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 50 Ω · Impedanz Referenz: 7 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 50 Ω · Impedanz Referenz: 7 | 1N4753A | 实时确认>> |
| 71 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 35 Ω · Impedanz Referenz: 9 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 35 Ω · Impedanz Referenz: 9 | 1N4750A | 实时确认>> |
| 72 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste | 1N4747A-G | 实时确认>> |
| 73 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste | 1N4752A-G | 实时确认>> |
| 74 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 45 Ω · Impedanz Referenz: 7 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 45 Ω · Impedanz Referenz: 7 | 1N4752A | 实时确认>> |
| 75 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 60 Ω · Impedanz Referenz: 6 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 60 Ω · Impedanz Referenz: 6 | 1N4754A | 实时确认>> |
| 76 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 23 Ω · Impedanz Referenz: 1 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 23 Ω · Impedanz Referenz: 1 | 1N4748A | 实时确认>> |
| 77 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste | 1N4748A-G | 实时确认>> |
| 78 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 40 Ω · Impedanz Referenz: 8 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 40 Ω · Impedanz Referenz: 8 | 1N4751A | 实时确认>> |
| 79 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Durchlassspannung Referenz: 200 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41G · Hersteller: PanJit · Herste | 1N4745A-G | 实时确认>> |
| 80 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 16 Ω · Impedanz Referenz: 1 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Z-Diode · Gehäuseart (Halbleiter): DO-41 · Hersteller: PanJit · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): PAN · Impedanz: 16 Ω · Impedanz Referenz: 1 | 1N4745A | 实时确认>> |
| 81 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 500 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 500 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H | SK24 | 实时确认>> |
| 82 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 750 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 750 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H | SR35 | 实时确认>> |
| 83 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 750 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 750 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H | SK36 | 实时确认>> |
| 84 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 700 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 700 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H | MBR240 | 实时确认>> |
| 85 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 960 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 960 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H | MB320 | 实时确认>> |
| 86 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 1 A · Durchlassspannung U(F): 700 mV · Durchlassstrom I(F): 1 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 1 A · Durchlassspannung U(F): 700 mV · Durchlassstrom I(F): 1 A · Gehäuseart (H | SK16 | 实时确认>> |
| 87 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 1 A · Durchlassspannung U(F): 960 mV · Durchlassstrom I(F): 1 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 1 A · Durchlassspannung U(F): 960 mV · Durchlassstrom I(F): 1 A · Gehäuseart (H | MBR1150 | 实时确认>> |
| 88 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 8 A · Durchlassspannung U(F): 550 mV · Durchlassstrom I(F): 8 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 8 A · Durchlassspannung U(F): 550 mV · Durchlassstrom I(F): 8 A · Gehäuseart (H | SK84 | 实时确认>> |
| 89 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 440 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 440 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H | SK54L | 实时确认>> |
| 90 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H | MBR350 | 实时确认>> |
| 91 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H | MB25 | 实时确认>> |
| 92 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 1 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 1 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 1 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 1 A · Gehäuseart (H | MBR150 | 实时确认>> |
| 93 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 550 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 550 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H | SK52 | 实时确认>> |
| 94 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 2 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 2 A · Gehäuseart (H | MB26 | 实时确认>> |
| 95 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 800 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 800 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H | MBR590 | 实时确认>> |
| 96 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 520 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 520 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H | SBM560VSS | 实时确认>> |
| 97 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 960 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 5 A · Durchlassspannung U(F): 960 mV · Durchlassstrom I(F): 5 A · Gehäuseart (H | MBR5200 | 实时确认>> |
| 98 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 10 A · Durchlassspannung U(F): 470 mV · Durchlassstrom I(F): 10 A · Gehäuseart 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 10 A · Durchlassspannung U(F): 470 mV · Durchlassstrom I(F): 10 A · Gehäuseart | SBM1045VSS | 实时确认>> |
| 99 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 800 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 800 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H | BR38 | 实时确认>> |
| 100 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H 晶体管 | Betriebstemperatur (max.) (num): +175 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Dioden-Typ (Kategorisierung): Schottky-Diode - Gleichrichter · Durchlassspannung Referenz: 3 A · Durchlassspannung U(F): 740 mV · Durchlassstrom I(F): 3 A · Gehäuseart (H | BR35 | 实时确认>> |
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