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记录 名称, 品牌, 型号 实时确认
5501 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durc 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durc MOC217R2M 实时确认>>
5502 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N37SM 实时确认>>
5503 Abfallzeit: 110 µs · Anstiegszeit: 8 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannun 晶体管 Abfallzeit: 110 µs · Anstiegszeit: 8 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannun MOCD223R2M 实时确认>>
5504 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817BSD 实时确认>>
5505 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817SD 实时确认>>
5506 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N32SR2M 实时确认>>
5507 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N29SM 实时确认>>
5508 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N27SR2M 实时确认>>
5509 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( 晶体管 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( SFH615A-2XSMT/R 实时确认>>
5510 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N27SM 实时确认>>
5511 Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung H11B1M 实时确认>>
5512 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U ISP817AXSMT/R 实时确认>>
5513 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817D300W 实时确认>>
5514 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss H11D1SR2M 实时确认>>
5515 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817A300W 实时确认>>
5516 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817C300W 实时确认>>
5517 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817A3SD 实时确认>>
5518 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U LTV847 实时确认>>
5519 Ausführung (LEDs): Diffus,Gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 870 nm · Erfassungswinkel: 10 ° · Gehäuseart (LEDs): 5 mm · Hersteller: OSRAM · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (K 晶体管 Ausführung (LEDs): Diffus,Gefärbt · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 870 nm · Erfassungswinkel: 10 ° · Gehäuseart (LEDs): 5 mm · Hersteller: OSRAM · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (K SFH 313 FA 实时确认>>
5520 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U FODM121B 实时确认>>
5521 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD814A300 实时确认>>
5522 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U FODM121C 实时确认>>
5523 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DRA3115G0L 实时确认>>
5524 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter) 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter) DRA3115T0L 实时确认>>
5525 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DRA3143Y0L 实时确认>>
5526 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DRA3144V0L 实时确认>>
5527 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst SS8050DTA 实时确认>>
5528 Landwirtschafts-Simulator 17 - Collector's Edition (PC) (Videospiel) astragon Software AS64032 实时确认>>
5529 Sol: Exodus - Collector's Edition [PC] CD-7480 实时确认>>
5530 Sol: Exodus - Collector's Edition Preisgranate [PC] CD-7750 实时确认>>
5531 Rescue 2: Everyday Heroes Collector's Edition Rondomedia 64003 实时确认>>
5532 True Fear - Verlorene Seelen: Collector's Edition (Yellow Valley) [PC] 02882 实时确认>>
5533 Talisman Collector's Edition (Preisgranate) [PC] CD-8076 实时确认>>
5534 Quantum Break: Timeless Collector's Edition [PC] 503793 实时确认>>
5535 Might & Magic Heroes VII Collector's Edition [PC] 300078316 实时确认>>
5536 Fantasy Quest 2 Collector's Edition [PC] 1018313 实时确认>>
5537 Lost Lands: Der goldene Fluch - Collector's Edition [PC] 02828 实时确认>>
5538 Lawn & Order 4 Collector's Edition [PC] 1018312 实时确认>>
5539 Activision Diablo 3: Reaper of Souls - Collector's Edition, PC/Mac Activision Blizzard 72914GM 实时确认>>
5540 Legend of Maya Collector's Edition [PC] 1019240 实时确认>>
5541 Legend of Egypt - Jewels of the Gods Collector's Edition [PC] 1017540 实时确认>>
5542 Puddle - Collector's Edition (Preisgranate) [PC MAC] CD-7876 实时确认>>
5543 The Keepers: Das Geheimnis des Wächterordens Collector´s Edition (Videospiel) Big Fish 35055D 实时确认>>
5544 Trauma Collector's Edition [PC] CD-7557 实时确认>>
5545 Superhot Collector's Edition [PC] CD-8063 实时确认>>
5546 Horizon Zero Dawn Collector's Edition [PS4] 9837053 实时确认>>
5547 Blazblue Continuum Shift Extend Collector Edition [X360] 300044676 实时确认>>
5548 Puddle - Collector's Edition [PC] CD-7809 实时确认>>
5549 Dustforce - Collector's Edition [PC] CD-7565 实时确认>>
5550 Shadow Tactics: Blades of the Shogun - Collector's Edition [PC] 20189 实时确认>>
5551 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleite 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleite BCM847BS,115 实时确认>>
5552 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): MSOP-8 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): MSOP-8 · Herstell ZXT12P40DXTA 实时确认>>
5553 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleite 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleite BCM847BS,135 实时确认>>
5554 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · He BC807DS,115 实时确认>>
5555 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste PBR941B,215 实时确认>>
5556 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: +2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SM-8 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: +2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SM-8 · Hers ZDT6753TA 实时确认>>
5557 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Herste BC847BS,135 实时确认>>
5558 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herstel PBR941,215 实时确认>>
5559 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Her BC857BS,135 实时确认>>
5560 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · He BC847BPN,125 实时确认>>
5561 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · He BC847BPN,135 实时确认>>
5562 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herste MMDT4124-7-F 实时确认>>
5563 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Herste BC846S,125 实时确认>>
5564 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Herste BC847BV,315 实时确认>>
5565 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell PBSS301PD,115 实时确认>>
5566 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell PBSS301NZ,135 实时确认>>
5567 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell PBHV8118T,215 实时确认>>
5568 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · He PBHV9115X,115 实时确认>>
5569 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · He PBSS2540MB,315 实时确认>>
5570 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 14 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 14 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herstel BUJ303A,127 实时确认>>
5571 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 11 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 11 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller BUJD203A,127 实时确认>>
5572 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers PBSS301PX,115 实时确认>>
5573 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · He PBSS2515MB,315 实时确认>>
5574 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Her MMBTA92,215 实时确认>>
5575 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstel PBHV9215Z,115 实时确认>>
5576 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006-3 · He PBSS2515M,315 实时确认>>
5577 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 13 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 13 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herstel BUJ105A,127 实时确认>>
5578 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Hersteller: PBSS301ND,115 实时确认>>
5579 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 23 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 800 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 23 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 3 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 800 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herstel BUJ303B,127 实时确认>>
5580 Big Fish Redemption Cemetery: Salvation of the Lost Collector's Edition Big Fish 62023 实时确认>>
5581 Floordirekt 光栅 Floordirekt fd-11911 实时确认>>
5582 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 360 ns · Collector-Strom I(C): 2.6 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 620 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BA · He 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 360 ns · Collector-Strom I(C): 2.6 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 620 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BA · He FSB52006S 实时确认>>
5583 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60M1DPP-M0#T2 实时确认>>
5584 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 450 ns · Collector-Strom I(C): 4 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Her 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 450 ns · Collector-Strom I(C): 4 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Her FSB50825US 实时确认>>
5585 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.42 µs · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.76 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.42 µs · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.76 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · FSAM75SM60A 实时确认>>
5586 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.75 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · FSAM20SH60A 实时确认>>
5587 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.32 µs · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.69 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1.32 µs · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.69 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-CA · FSAM50SM60A 实时确认>>
5588 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstell 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstell SGP10N60RUFDTU 实时确认>>
5589 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 22 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hers 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 21 A · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 22 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Hers HGTG5N120BND 实时确认>>
5590 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 275 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: RJH60M1DPE-00#J3 实时确认>>
5591 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Hers 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 500 ns · Collector-Strom I(C): 2 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 600 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · Hers FSB50550US 实时确认>>
5592 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 850 ns · Collector-Strom I(C): 1.1 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1050 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23-BD · H FSB50250US 实时确认>>
5593 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1117 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 772 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-EA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 1117 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 772 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-EA · H FPAM50LH60 实时确认>>
5594 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller RJH60F4DPQ-A0#T0 实时确认>>
5595 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60F5DPK-00#T0 实时确认>>
5596 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürze 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürze IRGP4068DPBF 实时确认>>
5597 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 142 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 4700 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 63 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 142 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 4700 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 63 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle RJH60F7DPQ-A0#T0 实时确认>>
5598 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 194 ns · Collector-Strom I(C): 22 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 26 ns · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 194 ns · Collector-Strom I(C): 22 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 26 ns · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü IRG4RC20F 实时确认>>
5599 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle RJH60F6BDPQ-A0#T0 实时确认>>
5600 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstelle SGS10N60RUFDTU 实时确认>>

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