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DELACHAUX登莱秀 | 法国 | 集电器、电缆卷筒 | DELACHAUX供应商 |
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Vahle法勒 | 德国 | 集电器 | Vahle供应商 |
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记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
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5401 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 3600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 3600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell | IRG4PH50UPBF | 实时确认>> |
5402 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · He | ZTX558 | 实时确认>> |
5403 | HP Collector Satin Canvas | HP | Q8708A | 实时确认>> |
5404 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.73 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.34 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.73 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.34 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · | FSAM15SH60A | 实时确认>> |
5405 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.93 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.48 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.93 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.48 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · | FSBB20CH60F | 实时确认>> |
5406 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S | DMC564070R | 实时确认>> |
5407 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers | KSA992FBU | 实时确认>> |
5408 | Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte 晶体管 | Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte | SN75468D | 实时确认>> |
5409 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herste | BC847S | 实时确认>> |
5410 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · | STGW30V60F | 实时确认>> |
5411 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst | 2N6517CTA | 实时确认>> |
5412 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 mV · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 mV · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He | PN2222TF | 实时确认>> |
5413 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herstell | BCX55-16 | 实时确认>> |
5414 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle | RJH60D6DPM-00#T1 | 实时确认>> |
5415 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 300 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 300 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60V1BDPP-M0#T2 | 实时确认>> |
5416 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 450 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 33 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 450 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 33 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60V2BDPP-M0#T2 | 实时确认>> |
5417 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 400 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 400 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Herstell | ZTX692B | 实时确认>> |
5418 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60M3DPP-M0#T2 | 实时确认>> |
5419 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: | IXGX72N60A3H1 | 实时确认>> |
5420 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252-3 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252-3 · Herste | KSH2955TF | 实时确认>> |
5421 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst | FZT792ATA | 实时确认>> |
5422 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem | RJP6085DPK-00#T0 | 实时确认>> |
5423 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Herste | BD159STU | 实时确认>> |
5424 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell | BCP68 | 实时确认>> |
5425 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers | BC857C | 实时确认>> |
5426 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herstel | BFS480 | 实时确认>> |
5427 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel | KSD5041QTA | 实时确认>> |
5428 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX | IXGH30N60C3D1 | 实时确认>> |
5429 | Wiha Bit Collector Security | Wiha | 09393 | 实时确认>> |
5430 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -20 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -25 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -20 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -25 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers | BF821,215 | 实时确认>> |
5431 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst | BC817-16,235 | 实时确认>> |
5432 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste | BC846BW,115 | 实时确认>> |
5433 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He | BC807-25,235 | 实时确认>> |
5434 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste | 2PD2150,115 | 实时确认>> |
5435 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell | BC54PA,115 | 实时确认>> |
5436 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H | BC807-40W,115 | 实时确认>> |
5437 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst | BC817-25,235 | 实时确认>> |
5438 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste | 2PD601ARL,215 | 实时确认>> |
5439 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers | 2PD602ASL,215 | 实时确认>> |
5440 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her | 2PD1820AS,115 | 实时确认>> |
5441 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H | BC807-16W,115 | 实时确认>> |
5442 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herst | BC53PA,115 | 实时确认>> |
5443 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell | BC54-16PA,115 | 实时确认>> |
5444 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers | BC817-40W,135 | 实时确认>> |
5445 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste | BC846AW,115 | 实时确认>> |
5446 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Hersteller: 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Hersteller: | 2SC5200OTU | 实时确认>> |
5447 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | DRA5115G0L | 实时确认>> |
5448 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 25 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 500 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-78-6 · Hersteller: Analog Devices · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 25 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 500 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-78-6 · Hersteller: Analog Devices · Herstel | MAT01AHZ | 实时确认>> |
5449 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He | BC857B | 实时确认>> |
5450 | Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte 晶体管 | Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte | ULN2003AD | 实时确认>> |
5451 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH1CV5DPK-00#T0 | 实时确认>> |
5452 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 380 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 380 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst | BCX70K | 实时确认>> |
5453 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · | BCW68H | 实时确认>> |
5454 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller | RJH60A83RDPP-M0#T2 | 实时确认>> |
5455 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste | PN2222ABU | 实时确认>> |
5456 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He | 2N3906TA | 实时确认>> |
5457 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.88 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.88 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · | FSAM20SM60A | 实时确认>> |
5458 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 336 ns · Collector-Strom I(C): 24 A · Eingangskapazität: 2860 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 336 ns · Collector-Strom I(C): 24 A · Eingangskapazität: 2860 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: | IXGH24N170AH1 | 实时确认>> |
5459 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 194 ns · Collector-Strom I(C): 22 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 26 ns · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 194 ns · Collector-Strom I(C): 22 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 26 ns · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü | IRG4RC20F | 实时确认>> |
5460 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller | RJH60F4DPQ-A0#T0 | 实时确认>> |
5461 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 229 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3338 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 229 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3338 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell | IRG7PH42UDPBF | 实时确认>> |
5462 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürze 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürze | IRGP4068DPBF | 实时确认>> |
5463 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 410 ns · Collector-Strom I(C): 130 A · Eingangskapazität: 4820 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstel 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 410 ns · Collector-Strom I(C): 130 A · Eingangskapazität: 4820 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstel | IRG7PH46UPBF | 实时确认>> |
5464 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH60F5DPK-00#T0 | 实时确认>> |
5465 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstelle 晶体管 | Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstelle | SGS10N60RUFDTU | 实时确认>> |
5466 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: | RJH60F6DPK-00#T0 | 实时确认>> |
5467 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle | RJH60F6BDPQ-A0#T0 | 实时确认>> |
5468 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 2150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 | Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 2150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: | IXGH32N120A3 | 实时确认>> |
5469 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 55 A · Eingangskapazität: 1940 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 55 A · Eingangskapazität: 1940 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell | IRG7PH35UPBF | 实时确认>> |
5470 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 95 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 95 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller | RJH60F5BDPQ-A0#T0 | 实时确认>> |
5471 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst | PBSS301PZ,135 | 实时确认>> |
5472 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller | PBSS4021NZ,115 | 实时确认>> |
5473 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell | PBSS303NZ,135 | 实时确认>> |
5474 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers | PBSS303PX,115 | 实时确认>> |
5475 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 155 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 155 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst | PBSS304PD,115 | 实时确认>> |
5476 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers | PBSS301PX,115 | 实时确认>> |
5477 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel | PBSS303NX,115 | 实时确认>> |
5478 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · | PBSS3515MB,315 | 实时确认>> |
5479 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 140 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 140 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste | PBSS4021PT,215 | 实时确认>> |
5480 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst | PBSS303PD,115 | 实时确认>> |
5481 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst | PBSS304PZ,135 | 实时确认>> |
5482 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers | PBSS302PX,115 | 实时确认>> |
5483 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell | PBSS301PD,115 | 实时确认>> |
5484 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstelle 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstelle | PBSS4021NX,115 | 实时确认>> |
5485 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell | PBSS305ND,115 | 实时确认>> |
5486 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · | FSBB20CH60C | 实时确认>> |
5487 | HP 减速电机 | HP | CC903-61581 | 实时确认>> |
5488 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-814HS | 实时确认>> |
5489 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-824S | 实时确认>> |
5490 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-4S | 实时确认>> |
5491 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | LTV-815 | 实时确认>> |
5492 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | LTV-8141 | 实时确认>> |
5493 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-814H | 实时确认>> |
5494 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspan 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspan | H11D1 | 实时确认>> |
5495 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | H11D1S | 实时确认>> |
5496 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | LTV-8141S | 实时确认>> |
5497 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | LTV-8141S-TA1 | 实时确认>> |
5498 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-814HS-TA1 | 实时确认>> |
5499 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-817S-TA | 实时确认>> |
5500 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817DSD | 实时确认>> |
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