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记录 名称, 品牌, 型号 实时确认
5401 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 3600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 200 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 3600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Herstell IRG4PH50UPBF 实时确认>>
5402 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · He ZTX558 实时确认>>
5403 HP Collector Satin Canvas HP Q8708A 实时确认>>
5404 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.73 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.34 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.73 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.34 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · FSAM15SH60A 实时确认>>
5405 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.93 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.48 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.93 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.48 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · FSBB20CH60F 实时确认>>
5406 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S DMC564070R 实时确认>>
5407 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers KSA992FBU 实时确认>>
5408 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte 晶体管 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte SN75468D 实时确认>>
5409 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herste BC847S 实时确认>>
5410 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · STGW30V60F 实时确认>>
5411 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 2N6517CTA 实时确认>>
5412 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 mV · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 mV · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He PN2222TF 实时确认>>
5413 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89 · Herstell BCX55-16 实时确认>>
5414 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2500 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 50 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle RJH60D6DPM-00#T1 实时确认>>
5415 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 300 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 55 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 300 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60V1BDPP-M0#T2 实时确认>>
5416 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 450 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 33 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 65 ns · Collector-Strom I(C): 25 A · Eingangskapazität: 450 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 33 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60V2BDPP-M0#T2 实时确认>>
5417 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 400 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 400 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Herstell ZTX692B 实时确认>>
5418 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 35 A · Eingangskapazität: 900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 38 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60M3DPP-M0#T2 实时确认>>
5419 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 320 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 6600 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: IXGX72N60A3H1 实时确认>>
5420 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252-3 · Herste KSH2955TF 实时确认>>
5421 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst FZT792ATA 实时确认>>
5422 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem RJP6085DPK-00#T0 实时确认>>
5423 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Herste BD159STU 实时确认>>
5424 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 85 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell BCP68 实时确认>>
5425 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers BC857C 实时确认>>
5426 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · Herstel BFS480 实时确认>>
5427 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel KSD5041QTA 实时确认>>
5428 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX IXGH30N60C3D1 实时确认>>
5429 Wiha Bit Collector Security Wiha 09393 实时确认>>
5430 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -20 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -25 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -20 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -25 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers BF821,215 实时确认>>
5431 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst BC817-16,235 实时确认>>
5432 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste BC846BW,115 实时确认>>
5433 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · He BC807-25,235 实时确认>>
5434 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 2PD2150,115 实时确认>>
5435 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell BC54PA,115 实时确认>>
5436 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H BC807-40W,115 实时确认>>
5437 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herst BC817-25,235 实时确认>>
5438 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 210 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste 2PD601ARL,215 实时确认>>
5439 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hers 2PD602ASL,215 实时确认>>
5440 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her 2PD1820AS,115 实时确认>>
5441 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H BC807-16W,115 实时确认>>
5442 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herst BC53PA,115 实时确认>>
5443 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstell BC54-16PA,115 实时确认>>
5444 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers BC817-40W,135 实时确认>>
5445 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste BC846AW,115 实时确认>>
5446 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Hersteller: 2SC5200OTU 实时确认>>
5447 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DRA5115G0L 实时确认>>
5448 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 25 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 500 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-78-6 · Hersteller: Analog Devices · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): 25 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 500 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-78-6 · Hersteller: Analog Devices · Herstel MAT01AHZ 实时确认>>
5449 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He BC857B 实时确认>>
5450 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte 晶体管 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte ULN2003AD 实时确认>>
5451 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 42 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH1CV5DPK-00#T0 实时确认>>
5452 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 380 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 380 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst BCX70K 实时确认>>
5453 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · BCW68H 实时确认>>
5454 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 54 ns · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangskapazität: 280 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 31 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller RJH60A83RDPP-M0#T2 实时确认>>
5455 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste PN2222ABU 实时确认>>
5456 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 2N3906TA 实时确认>>
5457 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.88 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.88 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.35 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-32-AA · FSAM20SM60A 实时确认>>
5458 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 336 ns · Collector-Strom I(C): 24 A · Eingangskapazität: 2860 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): NPT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 336 ns · Collector-Strom I(C): 24 A · Eingangskapazität: 2860 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 21 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH24N170AH1 实时确认>>
5459 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 194 ns · Collector-Strom I(C): 22 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 26 ns · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 194 ns · Collector-Strom I(C): 22 A · Eingangskapazität: 540 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 26 ns · Gehäuseart (Halbleiter): DPAK · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kü IRG4RC20F 实时确认>>
5460 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 85 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller RJH60F4DPQ-A0#T0 实时确认>>
5461 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 229 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3338 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 229 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3338 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 25 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell IRG7PH42UDPBF 实时确认>>
5462 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürze 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 145 ns · Collector-Strom I(C): 96 A · Eingangskapazität: 3025 pF · Eingangstyp: Standard · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller-Kürze IRGP4068DPBF 实时确认>>
5463 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 410 ns · Collector-Strom I(C): 130 A · Eingangskapazität: 4820 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstel 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 410 ns · Collector-Strom I(C): 130 A · Eingangskapazität: 4820 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstel IRG7PH46UPBF 实时确认>>
5464 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 105 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60F5DPK-00#T0 实时确认>>
5465 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstelle 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 36 ns · Collector-Strom I(C): 16 A · Eingangskapazität: 660 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 15 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220F · Hersteller: Fairchild Semiconductor · Herstelle SGS10N60RUFDTU 实时确认>>
5466 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: RJH60F6DPK-00#T0 实时确认>>
5467 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 131 ns · Collector-Strom I(C): 85 A · Eingangskapazität: 3800 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 58 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Herstelle RJH60F6BDPQ-A0#T0 实时确认>>
5468 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 2150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 140 ns · Collector-Strom I(C): 75 A · Eingangskapazität: 2150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IXGH32N120A3 实时确认>>
5469 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 55 A · Eingangskapazität: 1940 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 55 A · Eingangskapazität: 1940 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AC · Herstell IRG7PH35UPBF 实时确认>>
5470 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 95 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 95 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 2780 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 53 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247A · Hersteller RJH60F5BDPQ-A0#T0 实时确认>>
5471 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst PBSS301PZ,135 实时确认>>
5472 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 8 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller PBSS4021NZ,115 实时确认>>
5473 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herstell PBSS303NZ,135 实时确认>>
5474 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers PBSS303PX,115 实时确认>>
5475 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 155 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 155 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst PBSS304PD,115 实时确认>>
5476 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers PBSS301PX,115 实时确认>>
5477 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel PBSS303NX,115 实时确认>>
5478 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DFN1006B-3 · PBSS3515MB,315 实时确认>>
5479 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 140 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 140 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herste PBSS4021PT,215 实时确认>>
5480 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst PBSS303PD,115 实时确认>>
5481 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst PBSS304PZ,135 实时确认>>
5482 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers PBSS302PX,115 实时确认>>
5483 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell PBSS301PD,115 实时确认>>
5484 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstelle 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstelle PBSS4021NX,115 实时确认>>
5485 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 170 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell PBSS305ND,115 实时确认>>
5486 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.45 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · FSBB20CH60C 实时确认>>
5487 HP 减速电机 HP CC903-61581 实时确认>>
5488 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-814HS 实时确认>>
5489 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-824S 实时确认>>
5490 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-4S 实时确认>>
5491 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-815 实时确认>>
5492 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-8141 实时确认>>
5493 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-814H 实时确认>>
5494 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspan 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspan H11D1 实时确认>>
5495 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) H11D1S 实时确认>>
5496 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-8141S 实时确认>>
5497 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-8141S-TA1 实时确认>>
5498 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.4 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-814HS-TA1 实时确认>>
5499 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-817S-TA 实时确认>>
5500 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817DSD 实时确认>>

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