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记录 名称, 品牌, 型号 实时确认
5101 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung SFH615A-3 实时确认>>
5102 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung SFH620A-1 实时确认>>
5103 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 4N26 实时确认>>
5104 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-817S 实时确认>>
5105 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N35SM 实时确认>>
5106 Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 40 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 30 ° · Gehäuseart (LEDs): 3 x 3.2 mm · Hersteller: KODENSHI AUK · LED-Besonderheiten: seitliche 晶体管 Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Collector-Strom I(C): 40 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 30 ° · Gehäuseart (LEDs): 3 x 3.2 mm · Hersteller: KODENSHI AUK · LED-Besonderheiten: seitliche ST23G(CA) 实时确认>>
5107 Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): SMD · Bauform (Widerstand/Kondensator): 0805 · Collector-Strom I(C): 20 mA · Empfindlichkeit (max.): 860 nm · Hersteller: Everlight Opto · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (Kategorisierung): Fototra 晶体管 Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): SMD · Bauform (Widerstand/Kondensator): 0805 · Collector-Strom I(C): 20 mA · Empfindlichkeit (max.): 860 nm · Hersteller: Everlight Opto · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (Kategorisierung): Fototra PT17-21C/L41/TR8 实时确认>>
5108 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 3.5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannun 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 3.5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannun SFH628A-3 实时确认>>
5109 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N25-000E 实时确认>>
5110 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu FOD2711A 实时确认>>
5111 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu FOD2711ASD 实时确认>>
5112 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N37TVM 实时确认>>
5113 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N30SR2M 实时确认>>
5114 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD8173SD 实时确认>>
5115 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N37SR2M 实时确认>>
5116 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( 晶体管 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( SFH615A-3XSM 实时确认>>
5117 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N29SR2M 实时确认>>
5118 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U FODM121 实时确认>>
5119 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N32VM 实时确认>>
5120 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U FODM124 实时确认>>
5121 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD814 实时确认>>
5122 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu FOD8523S 实时确认>>
5123 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FODM2701R2 实时确认>>
5124 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N25SR2M 实时确认>>
5125 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FODM2705R2 实时确认>>
5126 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817A300 实时确认>>
5127 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-847 实时确认>>
5128 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-844 实时确认>>
5129 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-827S-TA1 实时确认>>
5130 Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Bauform (Widerstand/Kondensator): TO-18 · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 40 ° · Hersteller: OSRAM · In PCB-Software verfügbar: 晶体管 Ausführung (LEDs): Klar · Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Bauform (Widerstand/Kondensator): TO-18 · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 880 nm · Erfassungswinkel: 40 ° · Hersteller: OSRAM · In PCB-Software verfügbar: BPX 38 实时确认>>
5131 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U KB 357 N3T 实时确认>>
5132 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U( 晶体管 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U( LTV-352T 实时确认>>
5133 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.18 V · Durchlassstrom I(F): 6 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.18 V · Durchlassstrom I(F): 6 MOC8050SR2VM 实时确认>>
5134 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N29M 实时确认>>
5135 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlasssp 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlasssp TIL113M 实时确认>>
5136 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N35SVM 实时确认>>
5137 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U FODM121AR2 实时确认>>
5138 Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu MCT6SD 实时确认>>
5139 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass H11AA1VM 实时确认>>
5140 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N35SR2VM 实时确认>>
5141 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817C 实时确认>>
5142 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD814AS 实时确认>>
5143 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss MOC8204M 实时确认>>
5144 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.25 V · Durchlassst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.25 V · Durchlassst MCT2EM 实时确认>>
5145 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-816 实时确认>>
5146 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung ILQ615-4 实时确认>>
5147 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-826 实时确认>>
5148 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlas CNY17-1-000E 实时确认>>
5149 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-846 实时确认>>
5150 Abfallzeit: 15 µs · Anstiegszeit: 4.6 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom 晶体管 Abfallzeit: 15 µs · Anstiegszeit: 4.6 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom SFH615A-4XSM 实时确认>>
5151 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass H11AG1M 实时确认>>
5152 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassstrom I(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassstrom I(F) SFH618A-3X 实时确认>>
5153 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 4N27M 实时确认>>
5154 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U ISP817BXSMT/R 实时确认>>
5155 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N35TVM 实时确认>>
5156 Abfallzeit: 15 µs · Anstiegszeit: 4.6 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom 晶体管 Abfallzeit: 15 µs · Anstiegszeit: 4.6 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom SFH615A-4XSMT/R 实时确认>>
5157 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.7 V · Durchlass H11AV1AVM 实时确认>>
5158 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss H11D1M 实时确认>>
5159 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U IS181GB 实时确认>>
5160 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817S 实时确认>>
5161 Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Bauform (Widerstand/Kondensator): Sonderform · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 850 nm · Erfassungswinkel: 18 ° · Hersteller: OSRAM · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (Kategorisierung) 晶体管 Bauart (Widerstand/Kondensator): radial bedrahtet · Bauform (Widerstand/Kondensator): Sonderform · Collector-Strom I(C): 50 mA · Empfindlichkeit (max.): 850 nm · Erfassungswinkel: 18 ° · Hersteller: OSRAM · Leuchtmittel-Typ (Bauelemente) (Kategorisierung) BPX 81 实时确认>>
5162 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu FOD852300 实时确认>>
5163 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 0.5 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 0.5 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung TLP521-4GB 实时确认>>
5164 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu FOD2741BSD 实时确认>>
5165 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassstrom I(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassstrom I(F) SFH618A-3XSMT/R 实时确认>>
5166 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N32TVM 实时确认>>
5167 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD814A300W 实时确认>>
5168 Optek Gabel-Lichtschranke OPB460T11, Puffer, Open-Collector mit 10 K Pull-Up-Widerstand Ausgang, Schraubmontage, 5 Pin - Herst.-Teile-Nr.: OPB460T11 OPTEK OPB460T11 实时确认>>
5169 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc MOC213M 实时确认>>
5170 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu FOD852 实时确认>>
5171 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc MOC207M 实时确认>>
5172 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N36SM 实时确认>>
5173 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durc MOC206M 实时确认>>
5174 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 4N26M 实时确认>>
5175 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817B300 实时确认>>
5176 Komparator LM339APWR, Open Collector 1.3µs Quad TSSOP 14-Pin 3 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM339APWR Texas Instruments LM339APWR 实时确认>>
5177 Vierfach-AND-Gatter mit 2 Eingängen, SN74ALS09N, AND, ALS, Open Collector 8mA 4,5 ? 5,5 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN74ALS09N Texas Instruments SN74ALS09N 实时确认>>
5178 SN74ALS518DW ALS Identity Comparator 8-Bit Open Collector Non-Inverting SOIC 20-Pin 4,5 ? 5,5 V - Herst.-Teile-Nr.: SN74ALS518DW Texas Instruments SN74ALS518DW 实时确认>>
5179 Vierfach-AND-Gatter mit 2 Eingängen, SN74ALS09D, AND, ALS, Open Collector 8mA 4,5 ? 5,5 V 14-Pin SOIC - Herst.-Teile-Nr.: SN74ALS09D Texas Instruments SN74ALS09D 实时确认>>
5180 National Geographic Kids Just Joking Laugh-Out-Loud Collector's Set (Boxed Set) - Taschenbuch - Language: eng NATL GEOGRAPHIC CHILDRENS 9781426323904 实时确认>>
5181 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · MMBT4403 实时确认>>
5182 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Herste BD810G 实时确认>>
5183 Komparator LM2901PW, Open Collector 1.3µs Quad TSSOP 14-Pin 3 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM2901PW Texas Instruments LM2901PW 实时确认>>
5184 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 7792 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 51 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 7792 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 51 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · STGW60H65FB 实时确认>>
5185 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 42 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 915 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: IX IXGH30N60C3D1 实时确认>>
5186 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 20 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauelem IXYP20N120C3 实时确认>>
5187 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 48 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I 晶体管 Ausführung (Transistoren): PT · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 48 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 16 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247AD · Hersteller: I IXGH24N120C3 实时确认>>
5188 NXP 变频器 NXP N74F06D,602 实时确认>>
5189 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste PBSS5350X,147 实时确认>>
5190 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 95 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstelle 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 95 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstelle PBSS8510PA,115 实时确认>>
5191 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste PBSS5350X,146 实时确认>>
5192 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell PBSS5420D,115 实时确认>>
5193 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 250 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstel PBSS8110D,115 实时确认>>
5194 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste PBSS5520X,135 实时确认>>
5195 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst PBSS9110D,115 实时确认>>
5196 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Her PBSS9110X,135 实时确认>>
5197 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 140 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 140 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstel PBSS5580PA,115 实时确认>>
5198 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstel PBSS5560PA,115 实时确认>>
5199 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Hers PBSS9110Y,115 实时确认>>
5200 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 190 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -6 A · DC Stromverstärkung (hFE): 190 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): HUSON-3 · Herstel PBSS5612PA,115 实时确认>>

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