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| Logo | 品牌 | 原产地 | 产品类别 | 更多 |
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DELACHAUX登莱秀 | 法国 | 集电器、电缆卷筒 | DELACHAUX供应商 |
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Vahle法勒 | 德国 | 集电器 | Vahle供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 4901 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-826 | 实时确认>> |
| 4902 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N25VM | 实时确认>> |
| 4903 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N28SM | 实时确认>> |
| 4904 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N37SM | 实时确认>> |
| 4905 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann | MOCD207R2M | 实时确认>> |
| 4906 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | SFH610A-4 | 实时确认>> |
| 4907 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817A300W | 实时确认>> |
| 4908 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-357T | 实时确认>> |
| 4909 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | KB 827 | 实时确认>> |
| 4910 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N35SR2M | 实时确认>> |
| 4911 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-354T | 实时确认>> |
| 4912 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N35-000E | 实时确认>> |
| 4913 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspann | MOCD217R2M | 实时确认>> |
| 4914 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM124R2 | 实时确认>> |
| 4915 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | HMHA2801R2 | 实时确认>> |
| 4916 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U | H11AA4M | 实时确认>> |
| 4917 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-827 | 实时确认>> |
| 4918 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD814A3SD | 实时确认>> |
| 4919 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | SFH610A-3 | 实时确认>> |
| 4920 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 0.5 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 0.5 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung | TLP521-4 | 实时确认>> |
| 4921 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannu | MCT62 | 实时确认>> |
| 4922 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817DSD | 实时确认>> |
| 4923 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817A3SD | 实时确认>> |
| 4924 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817C300W | 实时确认>> |
| 4925 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817BSD | 实时确认>> |
| 4926 | Abfallzeit: 110 µs · Anstiegszeit: 8 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannun 晶体管 | Abfallzeit: 110 µs · Anstiegszeit: 8 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannun | MOCD223R2M | 实时确认>> |
| 4927 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817BS | 实时确认>> |
| 4928 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.07 V · Eingangstyp: DC · Gehä 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.2 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.07 V · Eingangstyp: DC · Gehä | FOD2743BSDV | 实时确认>> |
| 4929 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817DS | 实时确认>> |
| 4930 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741ATV | 实时确认>> |
| 4931 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu | FOD8523S | 实时确认>> |
| 4932 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu | FOD852SD | 实时确认>> |
| 4933 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741ASDV | 实时确认>> |
| 4934 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AA4SR2M | 实时确认>> |
| 4935 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 20 µs · Anstiegszeit: 100 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannu | FOD8523SD | 实时确认>> |
| 4936 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 130 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 130 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter | PBRP113ET,215 | 实时确认>> |
| 4937 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · H 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 25 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · H | PXTA92,115 | 实时确认>> |
| 4938 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hers | PZT4401,115 | 实时确认>> |
| 4939 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Her | PZT2222A,135 | 实时确认>> |
| 4940 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 56 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 56 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | DDTA124EUA-7-F | 实时确认>> |
| 4941 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herste | PMST2369,115 | 实时确认>> |
| 4942 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter | PBRP113ZT,215 | 实时确认>> |
| 4943 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 180 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter | PBRP123ET,215 | 实时确认>> |
| 4944 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PXTA14,115 | 实时确认>> |
| 4945 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herst | PMSTA06,115 | 实时确认>> |
| 4946 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · He | PMSS3906,115 | 实时确认>> |
| 4947 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 280 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 300 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 280 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 300 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PBRN123ET,215 | 实时确认>> |
| 4948 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers | PXTA42,115 | 实时确认>> |
| 4949 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 7792 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 51 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · 晶体管 | Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 160 ns · Collector-Strom I(C): 80 A · Eingangskapazität: 7792 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 51 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · | STGW60H65FB | 实时确认>> |
| 4950 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hers | PBSS4032PX,115 | 实时确认>> |
| 4951 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 750 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 750 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers | PBSS4160U,115 | 实时确认>> |
| 4952 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller: 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller: | PBSS4230T,215 | 实时确认>> |
| 4953 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell | PBSS4130T,215 | 实时确认>> |
| 4954 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -2.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herste | PBSS4032PD,115 | 实时确认>> |
| 4955 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herste | PBSS4240XF | 实时确认>> |
| 4956 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst | PBSS4041PZ,115 | 实时确认>> |
| 4957 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Hersteller | PBSS4220V,115 | 实时确认>> |
| 4958 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstell | PBSS4140T,235 | 实时确认>> |
| 4959 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Hersteller | PBSS4240Y,115 | 实时确认>> |
| 4960 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller | PBSS4041NZ,115 | 实时确认>> |
| 4961 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herstel | PBSS4140U,135 | 实时确认>> |
| 4962 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Herstel | PBSS4240V,115 | 实时确认>> |
| 4963 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 6.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Herstel | PBSS4041NX,115 | 实时确认>> |
| 4964 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4.4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Herst | PBSS4032PZ,115 | 实时确认>> |
| 4965 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He | 2N3906BU | 实时确认>> |
| 4966 | SN7407N 6-Bit Puffer, Treiber TTL Open Collector Non-Inverting 4,75 ? 5,25 V 14-Pin PDIP - Herst.-Teile-Nr.: SN7407N | Texas Instruments | SN7407N | 实时确认>> |
| 4967 | Texas Instruments 变频器 | Texas Instruments | SN7406N | 实时确认>> |
| 4968 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17-4 | 实时确认>> |
| 4969 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-1 | 实时确认>> |
| 4970 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17-3 | 实时确认>> |
| 4971 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-4 | 实时确认>> |
| 4972 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-2 | 实时确认>> |
| 4973 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-1S | 实时确认>> |
| 4974 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-2S | 实时确认>> |
| 4975 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-3S | 实时确认>> |
| 4976 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) | CNY17F-3 | 实时确认>> |
| 4977 | Abfallzeit: 4 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 4 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | IS281-4GB | 实时确认>> |
| 4978 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss | H11D1VM | 实时确认>> |
| 4979 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannu | MCT9001S | 实时确认>> |
| 4980 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung | 4N35M | 实时确认>> |
| 4981 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-814 | 实时确认>> |
| 4982 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | SFH610A-3 | 实时确认>> |
| 4983 | Sterling Publishing 连接器外壳 | Sterling Publishing | 9781454915218 | 实时确认>> |
| 4984 | Komparator LM211QD, Open Collector/Emitter 0.165µs SOIC 8-Pin 5 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM211QD | Texas Instruments | LM211QD | 实时确认>> |
| 4985 | Komparator LM311D, Open Collector/Emitter 0.165µs SOIC 8-Pin 5 ? 28 V - Herst.-Teile-Nr.: LM311D | Texas Instruments | LM311D | 实时确认>> |
| 4986 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | SFH6206-2 | 实时确认>> |
| 4987 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | HMHA2801AR2 | 实时确认>> |
| 4988 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741ASD | 实时确认>> |
| 4989 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 20 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 20 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung | ILQ620 | 实时确认>> |
| 4990 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspa 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspa | CNY17-1S | 实时确认>> |
| 4991 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N26SR2M | 实时确认>> |
| 4992 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741A | 实时确认>> |
| 4993 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspan 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspan | 4N25S-TA1 | 实时确认>> |
| 4994 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N28SM | 实时确认>> |
| 4995 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N38M | 实时确认>> |
| 4996 | Abfallzeit: 4 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 4 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | IS281-4 | 实时确认>> |
| 4997 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann 晶体管 | Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspann | MOCD211M | 实时确认>> |
| 4998 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N38SR2M | 实时确认>> |
| 4999 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) | 4N25S | 实时确认>> |
| 5000 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N30M | 实时确认>> |
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