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记录 名称, 品牌, 型号 实时确认
4601 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel KSC2328AOTA 实时确认>>
4602 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SSOT-3 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SSOT-3 · Herstell FSB560A 实时确认>>
4603 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst KSC1008YBU 实时确认>>
4604 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -3 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-3 · Hers FSB749 实时确认>>
4605 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste BC547ATA 实时确认>>
4606 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste BC547CTFR 实时确认>>
4607 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.55 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-JA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.55 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.75 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-JA · FSBF15CH60BT 实时确认>>
4608 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her BC81716MTF 实时确认>>
4609 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.35 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.8 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.35 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.8 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CC · H FSBB20CH60CT 实时确认>>
4610 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her BC81840MTF 实时确认>>
4611 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst BC848BMTF 实时确认>>
4612 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 970 ns · Collector-Strom I(C): 3.6 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1200 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Hers 晶体管 Ausführung (Transistoren): FET Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 970 ns · Collector-Strom I(C): 3.6 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 1200 ns · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-23 · Hers FSB50760SFT 实时确认>>
4613 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.67 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.4 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-BA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.67 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.4 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-BA · H FSBS15CH60F 实时确认>>
4614 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.86 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.49 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.86 µs · Collector-Strom I(C): 30 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.49 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-EA · FSBB30CH60 实时确认>>
4615 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.68 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.4 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-BA · He 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.68 µs · Collector-Strom I(C): 5 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.4 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-BA · He FSBS5CH60 实时确认>>
4616 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.67 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.4 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · H 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.67 µs · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.4 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · H FSBB15CH60 实时确认>>
4617 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · FMB3906 实时确认>>
4618 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 160 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Her BC81825MTF 实时确认>>
4619 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.93 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.48 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · 晶体管 Ausführung (Transistoren): IGBT Leistungstreibermodul · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 0.93 µs · Collector-Strom I(C): 20 A · Eingangstyp: Logik,Schmitt-Trigger · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 0.48 µs · Gehäuseart (Halbleiter): SPM-27-CA · FSBB20CH60 实时确认>>
4620 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 µA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Hers 2N5210TA 实时确认>>
4621 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SuperSOT-6 · Her FMB5551 实时确认>>
4622 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst BC849C 实时确认>>
4623 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 6 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 6 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: BU2520AW 实时确认>>
4624 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herst PMST3904,115 实时确认>>
4625 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 6 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 5 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 6 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-429 · Hersteller: BU2522AW 实时确认>>
4626 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 220 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Her BC856 实时确认>>
4627 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspann 晶体管 Abfallzeit: 4.7 µs · Anstiegszeit: 3.2 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspann MOCD217R2VM 实时确认>>
4628 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 100 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss MOC8204SM 实时确认>>
4629 Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung MOC8106SM 实时确认>>
4630 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): DRA9115G0L 实时确认>>
4631 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Herstel BC847,215 实时确认>>
4632 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 A · Gehäuseart (Halbleiter): E-Line · Hersteller: ZTX851 实时确认>>
4633 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte 晶体管 Anzahl Kanäle: 7 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOIC-16 · Hersteller: Texas Instruments · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): TID · Kollektor Reststrom I(CES): 500 µA · Kollektor-Emitte ULN2003ADR 实时确认>>
4634 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220-3 · Herste KSD526YTU 实时确认>>
4635 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst KSP06TA 实时确认>>
4636 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 20 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 3 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herstel MMBT918 实时确认>>
4637 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 20 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-226-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 20 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-226-3 · Herste KSC1674YBU 实时确认>>
4638 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste MMBTH11 实时确认>>
4639 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 8 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-236-3 · Herste MMBTH24 实时确认>>
4640 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 192 ns · Collector-Strom I(C): 164 A · Eingangskapazität: 4060 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 29 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS264 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauele 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 192 ns · Collector-Strom I(C): 164 A · Eingangskapazität: 4060 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 29 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS264 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Bauele IXYB82N120C3H1 实时确认>>
4641 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 100 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1080 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 100 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1080 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Herstelle RJP60V0DPM-00#T1 实时确认>>
4642 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 133 ns · Collector-Strom I(C): 90 A · Eingangskapazität: 3100 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 28 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-247 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baueleme IXYH50N120C3D1 实时确认>>
4643 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauel 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): LDPAK-4 · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauel RJP60D0DPE-00#J3 实时确认>>
4644 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3P · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Bauelem RJP60D0DPK-00#T0 实时确认>>
4645 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 50 A · Eingangskapazität: 1550 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 46 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller RJP60F0DPM-00#T1 实时确认>>
4646 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 76 ns · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangskapazität: 205 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 12 ns · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürze 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 76 ns · Collector-Strom I(C): 15 A · Eingangskapazität: 205 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 12 ns · Gehäuseart (Halbleiter): D2PAK · Hersteller: STMicroelectronics · Hersteller-Kürze STGB6NC60HDT4 实时确认>>
4647 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 104 ns · Collector-Strom I(C): 48 A · Eingangskapazität: 1490 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 41 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-262 · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 104 ns · Collector-Strom I(C): 48 A · Eingangskapazität: 1490 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 41 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-262 · Hersteller IRGSL4062DPBF 实时确认>>
4648 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 60 ns · Collector-Strom I(C): 40 A · Eingangskapazität: 1150 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 30 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue RJP6085DPN-00#T2 实时确认>>
4649 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 176 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 9850 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baue 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 176 ns · Collector-Strom I(C): 240 A · Eingangskapazität: 9850 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): PLUS247-3 · Hersteller: IXYS · Hersteller-Kürzel (Baue IXYX120N120C3 实时确认>>
4650 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-363 · He MMDT3906-7-F 实时确认>>
4651 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PF · 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench Feldstopp · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 189 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 3750 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PF · STGFW30V60F 实时确认>>
4652 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 90 ns · Collector-Strom I(C): 45 A · Eingangskapazität: 1050 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 35 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220FL · Hersteller: Renesas · Hersteller-Kürzel (Baue RJP60D0DPP-M0#T2 实时确认>>
4653 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller 晶体管 Ausführung (Transistoren): Trench · Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 70 ns · Collector-Strom I(C): 60 A · Eingangskapazität: 1900 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 45 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-3PFM · Hersteller RJP60F4DPM-00#T1 实时确认>>
4654 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA,+200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V,+1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA,+10 mA · Gehäuseart (H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -200 mA,+200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V,+1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA,+10 mA · Gehäuseart (H MMDT3946-7-F 实时确认>>
4655 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-253-4 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-253-4 · Herst BCV61A,215 实时确认>>
4656 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-253-4 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-253-4 · He BCM62B,215 实时确认>>
4657 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-4 实时确认>>
4658 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 53 µs · Anstiegszeit: 60 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Darlington · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) LTV-845S 实时确认>>
4659 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-2 实时确认>>
4660 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-3S 实时确认>>
4661 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-3 实时确认>>
4662 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m LTV-827S 实时确认>>
4663 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) 晶体管 Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspannung U(F) CNY17F-2S 实时确认>>
4664 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 300 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 800 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 300 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92 · Herste BC337-25 实时确认>>
4665 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste BC549CTA 实时确认>>
4666 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 97 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-226-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 97 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-226-3 · Herstel SS9018HBU 实时确认>>
4667 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her KSP2222ATA 实时确认>>
4668 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Herste 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Herste BC846BS,115 实时确认>>
4669 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -1.1 A,+1.35 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300,300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA,+500 mA · Gehäusea 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -1.1 A,+1.35 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300,300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -100 mA,+500 mA · Gehäusea PBSS4240DPN,115 实时确认>>
4670 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): S PEMH13,115 实时确认>>
4671 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halble 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halble PMP5201Y,115 实时确认>>
4672 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-666 · Herst PMBT3904VS,115 实时确认>>
4673 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -500 mA,+500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70,70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -500 mA,+500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70,70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: PIMC31,115 实时确认>>
4674 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -5.9 A,+6.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150,150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V,+2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A,+4 A · Gehäuseart (Hal 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): -5.9 A,+6.7 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150,150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V,+2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -4 A,+4 A · Gehäuseart (Hal PBSS4041SPN,115 实时确认>>
4675 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herstell PBSS4160DS,115 实时确认>>
4676 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter) 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter) PUMB10,115 实时确认>>
4677 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): PUMB11,115 实时确认>>
4678 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Her 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 110 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · Her BC856S,115 实时确认>>
4679 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 150 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSOP-6 · Herst PBSS5160DS,115 实时确认>>
4680 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN,PNP · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TSSOP-6 · He PUMZ1,115 实时确认>>
4681 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100,100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstro 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt,PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA,+100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100,100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V,+5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstro PEMD9,115 实时确认>>
4682 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halble 晶体管 Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): PNP - abgestimmtes Paar · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halble BCM856BS,115 实时确认>>
4683 Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE. Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 1000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstär 晶体管 Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE. Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 10 A · DC Stromverstärkung (hFE): 1000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstär TIP140 实时确认>>
4684 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · MMBT4403 实时确认>>
4685 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -300 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He KSP94BU 实时确认>>
4686 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herst SS8050CTA 实时确认>>
4687 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel KSC1815YTA 实时确认>>
4688 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817C 实时确认>>
4689 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U FODM121AR2 实时确认>>
4690 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 4N35SR2VM 实时确认>>
4691 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller 晶体管 Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2): 93 ns · Collector-Strom I(C): 13 A · Eingangskapazität: 530 pF · Eingangstyp: Standard · Einschaltverzögerungszeit t(d)(on): 39 ns · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller: Infineon Technologies · Hersteller IRG4BC20UD 实时确认>>
4692 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( 晶体管 Abfallzeit: 14 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassstrom I( SFH615A-2XSMT/R 实时确认>>
4693 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U FOD817S 实时确认>>
4694 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass H11AG1M 实时确认>>
4695 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 4N27M 实时确认>>
4696 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Hers ZUMT718TA 实时确认>>
4697 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 200 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 30 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · Herst MMSTA42-7-F 实时确认>>
4698 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-26 · Hersteller: 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-26 · Hersteller: ZXT13N50DE6TA 实时确认>>
4699 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1.25 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1.25 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-323 · H ZUMT717TA 实时确认>>
4700 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 500 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23F · Herst 晶体管 Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -4 A · DC Stromverstärkung (hFE): 500 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23F · Herst ZXTP07012EFFTA 实时确认>>

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