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| Logo | 品牌 | 原产地 | 产品类别 | 更多 |
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DELACHAUX登莱秀 | 法国 | 集电器、电缆卷筒 | DELACHAUX供应商 |
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Vahle法勒 | 德国 | 集电器 | Vahle供应商 |
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| 记录 | 名称, 品牌, 型号 | 实时确认 | ||
|---|---|---|---|---|
| 4501 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741BSV | 实时确认>> |
| 4502 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2711ASDV | 实时确认>> |
| 4503 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817A3S | 实时确认>> |
| 4504 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741BSDV | 实时确认>> |
| 4505 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD8173S | 实时确认>> |
| 4506 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2712AR2V | 实时确认>> |
| 4507 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2711AV | 实时确认>> |
| 4508 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2712AR2 | 实时确认>> |
| 4509 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD814300 | 实时确认>> |
| 4510 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- | PDTC144EU,115 | 实时确认>> |
| 4511 | Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung | H11B1M | 实时确认>> |
| 4512 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N37SR2M | 实时确认>> |
| 4513 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2711A | 实时确认>> |
| 4514 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 4 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ACPL-247-500E | 实时确认>> |
| 4515 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N37TVM | 实时确认>> |
| 4516 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2711ASV | 实时确认>> |
| 4517 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N29SR2M | 实时确认>> |
| 4518 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ISP817BX | 实时确认>> |
| 4519 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N30SR2M | 实时确认>> |
| 4520 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F): 1.2 V · Durchlassspannung U(F) m | LTV-827S-TA1 | 实时确认>> |
| 4521 | Broadcom Optokoppler, 230 mA DC Input Open-Collector Output, 3750 V eff. SMD, DIP 8-Pin - Herst.-Teile-Nr.: HCPL-4701-300E | Broadcom | HCPL-4701-300E | 实时确认>> |
| 4522 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2711ASD | 实时确认>> |
| 4523 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AG1VM | 实时确认>> |
| 4524 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817AS | 实时确认>> |
| 4525 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2711ATV | 实时确认>> |
| 4526 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD8143S | 实时确认>> |
| 4527 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung | FOD617C | 实时确认>> |
| 4528 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD8143SD | 实时确认>> |
| 4529 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -25 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -25 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2742BV | 实时确认>> |
| 4530 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.5 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2741AS | 实时确认>> |
| 4531 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM121C | 实时确认>> |
| 4532 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -25 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -25 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2742BR2V | 实时确认>> |
| 4533 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -25 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Eingangstyp: DC · Gehäu 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -25 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +85 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.2 V · Eingangstyp: DC · Gehäu | FOD2742BR2 | 实时确认>> |
| 4534 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +105 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD814A300 | 实时确认>> |
| 4535 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM121B | 实时确认>> |
| 4536 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM121R2 | 实时确认>> |
| 4537 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | IS121 | 实时确认>> |
| 4538 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss | H11D1VM | 实时确认>> |
| 4539 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM121BR2 | 实时确认>> |
| 4540 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM121 | 实时确认>> |
| 4541 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817D | 实时确认>> |
| 4542 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannu 晶体管 | Abfallzeit: 2.4 µs · Anstiegszeit: 2.4 µs · Anzahl Kanäle: 2 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 30 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannu | MCT9001S | 实时确认>> |
| 4543 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ISP817CXSMT/R | 实时确认>> |
| 4544 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817B3S | 实时确认>> |
| 4545 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | FODM121CR2 | 实时确认>> |
| 4546 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817B300W | 实时确认>> |
| 4547 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817C3S | 实时确认>> |
| 4548 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ISP817AXSMT/R | 实时确认>> |
| 4549 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlassspa 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Darlington mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 80 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) min.: 0.8 V · Durchlassspa | H11B1SR2VM | 实时确认>> |
| 4550 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +110 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | FOD817CS | 实时确认>> |
| 4551 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -30 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.4 V · Durchlassspannung U | ISP817BXSM | 实时确认>> |
| 4552 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AG1TVM | 实时确认>> |
| 4553 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlass | H11AA4SR2VM | 实时确认>> |
| 4554 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.15 V · Durchlasss | H11D1SR2VM | 实时确认>> |
| 4555 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U 晶体管 | Abfallzeit: 3 µs · Anstiegszeit: 3 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 50 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.3 V · Durchlassspannung U | HMHA2801AR2V | 实时确认>> |
| 4556 | ATORN Bitbox Collector Universal 61--teilig mit Bithalter | ATORN | 50010121 | 实时确认>> |
| 4557 | ATORN Bitbox Collector 32-teilig mit Bithalter und Bitknarre 1/4 Inch | ATORN | 50010137 | 实时确认>> |
| 4558 | ATORN Bitbox Collector Universal 32-teilig mit Bithalter und Handgriff | ATORN | 50010119 | 实时确认>> |
| 4559 | ATORN Bitbox Collector PH/PZ/TX 32-teilig mit Bithalter und Handgriff | ATORN | 50010120 | 实时确认>> |
| 4560 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTA124XT,215 | 实时确认>> |
| 4561 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T | PDTC123JT,235 | 实时确认>> |
| 4562 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO | PDTC114TT,215 | 实时确认>> |
| 4563 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTA114TU,115 | 实时确认>> |
| 4564 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T | PDTC143ZT,235 | 实时确认>> |
| 4565 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTA144ET,235 | 实时确认>> |
| 4566 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter) 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter) | PDTA143ZU,115 | 实时确认>> |
| 4567 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 µA · Gehäuseart (Halbleiter) 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 µA · Gehäuseart (Halbleiter) | PDTA123JU,115 | 实时确认>> |
| 4568 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- | PDTC114ET,235 | 实时确认>> |
| 4569 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTA124EU,115 | 实时确认>> |
| 4570 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTB123ET,215 | 实时确认>> |
| 4571 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- | PDTC144WT,215 | 实时确认>> |
| 4572 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 35 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 35 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO- | PDTC123YT,215 | 实时确认>> |
| 4573 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -600 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 230 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -300 mA · Gehäuseart (Halbleiter | PBRP123YT,215 | 实时确认>> |
| 4574 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter) 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter) | PDTA123JT,215 | 实时确认>> |
| 4575 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-253-4 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 2 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-253-4 · Herst | BCM61B,215 | 实时确认>> |
| 4576 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC | PDTC143XU,115 | 实时确认>> |
| 4577 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas 晶体管 | Abfallzeit: 2 µs · Anstiegszeit: 2 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F) max.: 1.5 V · Durchlas | 4N38SR2M | 实时确认>> |
| 4578 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspa 晶体管 | Abfallzeit: 5 µs · Anstiegszeit: 5 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.) (num): -55 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Collector-Strom I(C): 150 mA · Durchlassspannung U(F): 1.45 V · Durchlassspa | CNY17-4S-TA1 | 实时确认>> |
| 4579 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTA144WT,215 | 实时确认>> |
| 4580 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- | PDTC124XU,115 | 实时确认>> |
| 4581 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTA143XT,215 | 实时确认>> |
| 4582 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 35 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 35 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- | PDTC123YU,115 | 实时确认>> |
| 4583 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 20 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO | PDTC123ET,215 | 实时确认>> |
| 4584 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): | PDTB123YT,215 | 实时确认>> |
| 4585 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 60 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC- | PDTC124EU,115 | 实时确认>> |
| 4586 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 30 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 10 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC | PDTC143EU,115 | 实时确认>> |
| 4587 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SC | PDTC143TU,115 | 实时确认>> |
| 4588 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - vorgespannt · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 40 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO | PDTD123ET,215 | 实时确认>> |
| 4589 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -20 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP - vorgespannt · Collector-Strom I(C): -20 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -5 mA · Gehäuseart (Halbleiter): T | PDTA115ET,215 | 实时确认>> |
| 4590 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SSOT-3 · Hersteller: 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): SSOT-3 · Hersteller: | FSB619 | 实时确认>> |
| 4591 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 45 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 45 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252-3 · Herstel | KSH210TF | 实时确认>> |
| 4592 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 135 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 135 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · He | KSA812YMTF | 实时确认>> |
| 4593 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her | KSA733CGBU | 实时确认>> |
| 4594 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 70 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herste | KSC1008OBU | 实时确认>> |
| 4595 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 200 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst | KSC1623GMTF | 实时确认>> |
| 4596 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 300 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Herst | KSC1623LMTF | 实时确认>> |
| 4597 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223-4 · Hers 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223-4 · Hers | FZT3019 | 实时确认>> |
| 4598 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -700 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -50 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · He | KSA931YTA | 实时确认>> |
| 4599 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -150 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -6 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -1 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Her | KSA733CYTA | 实时确认>> |
| 4600 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel 晶体管 | Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 120 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-92-3 · Herstel | KSD471ACYTA | 实时确认>> |
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